Montages à FET
Transcription
Montages à FET
Composants de l'électronique Montages à FET C. Koeniguer 2008/2009 1ère année IFIPS Département Electronique 2008-2009 Cédric KOENIGUER Composants de l'électronique 1 I. Montages analogiques 1. Amplificateurs uniquement à base d'un unique transistor transistor : 3 broches quadripôle : 4 broches 1 potentiel commun ⇒ 3 familles de montages a) Montage inverseur : source commune E Av = − RD D G C. Koeniguer 2008/2009 Ve g m RD 1 + g m RS Z out = RD S RS Vout Z in = ∞ Améliorations : découplage de RS ⇒ augmentation du gain Composants de l'électronique 2 I. Montages analogiques 1. Amplificateurs b) Montage non inverseur : grille commune E RD S Ve RS D G Vout Av = g m RD Z out = RD RS Z in = 1 + g m RS C. Koeniguer 2008/2009 ⇒ mauvaise impédance d'entrée et de sortie : peu utilisé Composants de l'électronique 3 I. Montages analogiques 1. Amplificateurs c) Montage suiveur : drain commun E RD RS RS Z out = 1 + g m RS Z in = ∞ D G C. Koeniguer 2008/2009 Ve g m RS 1 + g m RS Av = S Vout Composants de l'électronique 4 I. Montages analogiques 2. Résistance commandée D RDS G S RDS ON = VGS −1 VT Vc C. Koeniguer 2008/2009 Applications : contrôle automatique de gain (TP2). On fait varier une résistance en fonction d'une tension : on peut donc contrôler un gain à l'aide d'une tension. Composants de l'électronique 5 I. Montages analogiques 3. Commutation Pour un NMOS : VGS < VT : IDS = 0 : interrupteur ouvert VGS > VT : IDS ≠ 0 : interrupteur fermé, caractérisé par RDS ON ⇒ il faut privilégier un RDS ON faible pour minimiser les pertes circuit D G S Vc Problème éventuel : RDS dépend du potentiel de source, et donc du montage ... C. Koeniguer 2008/2009 circuit RDS VS Composants de l'électronique 6 I. Montages analogiques 3. Commutation : améliorations et applications Interrupteur à CMOS VC VC RDS C. Koeniguer 2008/2009 RDS équivalent Applications : - interrupteur (électronique de puissance) - Multiplexage (Electronique numérique) - CAN ... VS Composants de l'électronique 7 II. Montages numériques 1.Inverseur CMOS IDS VDD -VDD -VT -VDD VT Ve VS Ve=0 : VGSn= 0 <VT ⇒ NMOS bloqué VGSp= -VDD<-VT ⇒ PMOS passant C. Koeniguer 2008/2009 VGS Ve=VDD : VGSn= VDD >VT⇒ NMOS passant VGSp= 0 > -VT ⇒ PMOS bloqué Composants de l'électronique VS=VDD VS=0 8 II. Montages numériques 2. Porte NAND E a b C. Koeniguer 2008/2009 Vs Porte NAND Composants de l'électronique 9 II. Montages numériques 3. Méthode de synthèse : action d'un unique MOS VDD S a a S C. Koeniguer 2008/2009 a=VDD ⇒ S=0(= VDD) a=0 ⇒ S= ? S= a pour l'entrée à l'état haut (inactif pour l'entrée à l'état bas) a=0 ⇒ S=VDD (= 0) a=VDD ⇒ S= ? S= a pour l'entrée à l'état bas (inactif pour l'entrée à l'état haut) Composants de l'électronique 10 II. Montages numériques 3. Méthode de synthèse : associations en // VDD S a b a b S C. Koeniguer 2008/2009 a=VDD ou b=VDD ⇒ S=0(= VDD) a=0 ou b=0 ⇒ S=VDD (= 0) a=0 et b=0 ⇒ S= ? a=VDDet b=VDD ⇒ S= ? S=a+b pour les entrées à l'état haut (inactif pour les entrées à l'état bas) S=a+b pour les entrées à l'état bas (inactif pour les entrées à l'état haut) Composants de l'électronique 11 II. Montages numériques 3. Méthode de synthèse : associations en série S VDD b b a a S C. Koeniguer 2008/2009 a=VDD et b=VDD ⇒ S=0(= VDD) a=0 et b=0 ⇒ S=VDD (= 0) a=0 ou b=0 ⇒ S= ? a=VDDou b=VDD ⇒ S= ? S=a . b pour les entrées à l'état haut (inactif pour les entrées à l'état bas) S=a .b pour les entrées à l'état bas (inactif pour les entrées à l'état haut) Composants de l'électronique 12 II. Montages numériques 3. Méthode de synthèse : principe Bloc N : • actif aux entrées à 1 • inactif aux entrées à 0 • sortie : réalise la valeur 0 en fonction des entrées (à l'état haut) s=f( a, b,...) Bloc P : • actif aux entrées à 0 • inactif aux entrées à 1 • sortie : réalise la valeur 1 en fonction des entrées complémentées (état bas) : s=f(a,b,...) Pour synthétiser une fonction f(a,b,...): 1. Deux blocs complémentaires (CMOS) : C. Koeniguer 2008/2009 • • type N : permet de réagir aux entrées à 1 et de fournir 0 type P : permet de réagir aux entrées à 0 et de fournir 1 2. Ecrire la fonction f sous la forme : • f(a,b,...)=g(a, b, ...) ⇒ synthèse du bloc P • f(a,b,...)=h(a, b, ...) ⇒ synthèse du bloc N Composants de l'électronique 13 II. Montages numériques g(a,b)= a + b mise en // VDD Bl oc P 3. méthode de synthèse : Exemples a Porte NAND : f(a,b)= a . b b Vs oc Bl C. Koeniguer 2008/2009 N h(a,b)= a . b mise en série Composants de l'électronique 14 II. Montages numériques 4. Réalisation d'un état haute impédance Problématique : communication entre différents périphériques via bus dispo 1 dispo 2 dispo n dispo 3 communication entre dispo 1 et 3 : échanges de 0 (0V) ou 1(VDD) dispo 2 et n : ni à 0 V ni à 5 V ⇒ déconnecté du bus : état haute impédance C. Koeniguer 2008/2009 solution : on isole le circuit logique du bus via un interrupteur CMOS, en validant la liaison à l'une d'une variable de commande c dernier étage CMOS du dispo c Bloc P c bus c Bloc N OU dispo 2 bus c Rem : les bus externes utilisent d'autres méthodes sans avoir besoin d'une commande supplémentaire Composants de l'électronique 15
Documents pareils
CorrigePC1
Calculer les valeurs des deux tensions d'entrée Vil et Vih,
Calculer les marges de bruit NMl et NMh (on définira ces grandeurs au cours de la PC),
ainsi que Vm pour lequel Vout = Vin.