Ampli 13 cm MRF6S21050L

Ampli 2.3 GHz 30W à 6S21050L
Release 1c
The last but not the least !
F5DQK_F4DRU – 21/02/2010
Ampli à LDMOS MRF6S21050L
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Plan
1- Ampli, aspect
2- Mesures en régime linéaire
3- Mesures en puissance en compression
4- Conclusion
Parfait montage permettant d’appréhender le fonctionnement d’un seul étage à LDMOS
Origine : kit de PE1RKI permettant 40W out sous 28V avec 0.8W in et visible à la page :
http://members.chello.nl/b.modderman/40watt13cm.html
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1- Aspect de l’ampli
Transistor Freescale MRF6S21020L en technologie LDMOS
Montage réalisé et aimablement prêté par Yoann F4DRU
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Aspect
Vue intérieure
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Transistor utilisé
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Schéma
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Implantation
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2- Mesures en régime linéaire à 2.32 GHz
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Mesures en régime linéaire
Gain linéaire à 14 ou 24V 18.4 dB
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Mesures en régime linéaire
Gain linéaire de 12 à 24V 18.5 dB
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3- Mesures en puissance à la compression
à 2.32 GHz
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Mesures RF à la compression
Banc de mesure de puissance RF à 2.32 GHz
Unité amont :
Unité aval :
- Sweep HP 8350 + tiroir HP 83522a dB par dB jusqu’à +19 dBm lissés
- Ampli 13 cm DB6NT KU 231 XL de 10W, utilisé dans sa zône linéaire
(gain_lin >10.5 dB) sortie max +29.5 dBm
- Perte totale 34.43 dB
- Puissance max porttée à 80W
atten 30 dB 30W
HP 8498a 30 dB
HP 83522a
Bolomètre
HP 8481a
+
10M câble coaxial
RG 214 U perte 4.43 dB
KU 231 XL
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Mesures RF à la compression
Ampli à mesurer
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Mesures RF à la compression
45
24
23
41
22
39
21
37
20
35
19
33
18
P1dBc
31
29
27
P1dBc
17
16
A 14V
A 26V
Irepos = 1.75A
Ug = +3.492V
Gain lin scalaire = 18.6 dB
P1dBc = +36.8 dBm ou 4.8W
P3dBc = +38.8 dBm ou 7.6W
Irepos = 1.95A
Ug1 = +3.592V
Gain lin scalaire = 18.6 dB
P1dBc = +44 dBm ou 25W
P3dBc = +44.8 dBm ou 30.2W
P3dBc
P3dBc 15
25
14
10
15
20
25
30
Pin (dBm)
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Gain lin (dB)
43
Pout (dBm)
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Pout à 14V (dBm)
Pout à 24V (dBm)
Pout à 26V (dBm)
Glin à 14V (dB)
Glin à 24V (dB)
Glin à 26V (dB)
Mesures RF à la compression
35
30
3,2
Pout à 14V (W)
Pout à 24V (W)
Pout à 26V (W)
I à 14v (A)
I à 24V (A)
Ampli 2,3 GHz 30W F4DRU
3
2,8
20
2,6
15
2,4
10
2,2
Pout (W)
I drain (A)
25
5
0
0,000
2
0,200
0,400
0,600
0,800
1,000
1,8
1,200
Pin (W)
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4- Conclusion
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Conclusion
En résumé :
Bien sur la technologie LDMOS est loin d’être aussi linéaire que celle au Silicium ou à l’Arséniure de Gallium !
Prévu pour une puissance d’entrée de 0.5 à 1.2W sous 26V
1/ Mesures à 14V
Gain linéaire 18.6 dB
Pin de +20 à +23 dBm
P1dBc =+36.8 dBm ou 4.8W
P2dBc =+38 dBm ou 6.3W
P3dBc =+38.8 dBm ou 7.6W
I_DC= environ 2.2A
2/ Mesures à 26V
Gain linéaire 18.6 dB
Pin de +27 à +31 dBm
P1dBc =+44 dBm ou 25W
P2dBc =+44.5 dBm ou 28.2W
P3dBc =+44.8 dBm ou 30.2W
I_DC= environ 2.9 à 3A
3/ Non essayé à 28V : alime insuffisante
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