Simulation Shortcut
Transcription
Simulation Shortcut
Simulation Shortcut Problème / Objectif : Une simulation Shortcut permet de délimiter le domaine de fonctionnement optimal d'une colonne de rectification pour des mélanges approximativement idéaux. Les résultats sont à considérer comme valeurs indicatives. La simulation détaillée de la colonne et la simulation de mélanges non idéaux sont réalisées par le biais d'une simulation de colonne rigoureuse, par ex. SCDS. L'avantage de la colonne Shortcut réside dans la détermination du domaine du rapport de reflux et du calcul direct du plateau d'entrée. Elle donne un aperçu rapide de la solution d'ensemble. Ce tutoriel traite un mélange binaire simple de benzol et d'o-xylène. Ce mélange doit être séparé par rectification avec une pureté minimale du benzol de 99% à la tête. Au fond, une concentration en benzol de 1% ne doit pas être dépassée. La simulation est réalisée avec une colonne Shortcut pour déterminer le rapport de reflux optimal et le plateau d'entrée. Figure 1: Flowsheet colonne Shortcut Réalisation de la simulation Shortcut dans CHEMCAD Cette simulation est réalisée avec CHEMCAD Steady State. Avant la simulation, les composants et les modèles thermodynamiques doivent être réglés. Sous « Select Components », sélectionnez les composants Benzol (n° CAS : 71-43-2) et o-Xylène (n° CAS : 95-47-6). Le « Thermodynamics Wizard » qui s'ouvre ensuite propose un modèle approprié en fonction de la spécification de pression et de température. CHEMCAD propose pour l'exemple choisi le modèle de valeur k (k-Value Model) UNIFAC. Pour le modèle de l'enthalpie, le modèle LATE (Latent Heat) est proposé. focused on process simulation Page 1 sur 11 Cette sélection est une décision préliminaire du logiciel et devrait toujours être vérifiée par l'utilisateur ou comparée avec un arbre de décision ([3], figure 8/9]). On réalise d'abord sous [Plot] [TPXY] le diagramme T-X et le diagramme d'équilibre afin d'analyser le comportement du mélange. Le diagramme T-x affiche la plage d'ébullition qui permet d'identifier rapidement les produits à haut et bas points d'ébullition. Le diagramme d'équilibre montre que le mélange ne forme pas d'azéotrope et qu'il exhibe un comportement presque idéal. La simulation Shortcut peut être appliquée à ce mélange. Figure 2: Diagramme T-x et diagramme d'équilibre On insère l'UnitOp (Unit Operation) pour la colonne Shortcut dans le flowsheet et le pourvoit d’un flux d'alimentation et de deux flux de produit. Le flux d'alimentation est réglé avec les données indiquées dans le tableau 1, voir Figure 3. Tableau 1: Données pertinentes pour la simulation de l'exemple Unités SI Composants Thermodynamique Flux d'alimentation H : Benzol : 50 kg/h o-Xylène : 50 kg/h T = 20℃ p = 1,013 bar Unit Operations Benzol (alim) o-Xylène (alim) K: UNIFAC, LATE 1colonne Shortcut 1 Alimentation 2 Produits focused on process simulation Page 2 sur 11 La colonne Shortcut est initialisée dans l'étape suivante. La fenêtre de réglage (Figure 3) permet de sélectionner sous « Select Mode » trois options de dimensionnements différentes. Figure 3: Fenêtre de réglage de la colonne Shortcut La première possibilité de sélection « Rating : Fenske- Underwood- Gilliland » ne peut pas être utilisée pour le dimensionnement. Elle est utilisée lorsque les données de la colonne sont déjà existantes et qu’on souhaite un aperçu rapide du comportement de séparation. Les deux autres possibilités de sélection « 2 Design; FUG with Fenske feed tray location » et « 3 Design; FUG with Kirkbride feed tray location» sont nécessaires pour le dimensionnement de la colonne Shortcut. Les différences entre ces méthodes sont résumées dans le Tableau 2. Tableau 2: Comparaison des options de dimensionnement de la colonne Shortcut Base de calcul pour - nombre minimal de plateaux - rapport de reflux minimal - nombre de plateaux théorique Base de calcul pour - plateau d'entrée théorique Différence 2 Design; FUG with Fenske feed tray location selon Fenske- Underwood- Gilliland 3 Design; FUG with Kirkbride feed tray location selon Fenske- Underwood- Gilliland selon Fenske Calcul du plateau d'entrée théorique par le nombre minimal et théorique de plateaux selon Kirkbride Calcul du plateau d'entrée théorique par le rapport de plateaux de la partie rectification et la partie de concentration focused on process simulation Page 3 sur 11 Dans le cadre de ce tutoriel, on sélectionne l'option de conception 2, « FUG with Fenske feed tray location ». Trois informations sont nécessaires pour l'initialisation de la colonne Shortcut : Light Keysplit ,Heavy Keysplit et le rapport . Les Keysplits indiquent le rapport entre le produit à haut point d'ébullition, respectivement à point bas, extrait dans la tête et celui admis dans l'alimentation. Ceci ne correspond pas à la pureté souhaitée dans la tête. La simplification de la méthode Shortcut consiste dans la réduction du mélange étudié en un système binaire. Les deux composants à séparer sont désignés comme Light- et Heavykey. Un bilan permet de déterminer les flux massiques à la tête ( ̇ ) et au fond ( ̇ ) pour la pureté souhaitée ( . w correspond à la fraction massique. ̇ ̇ ̇ ̇ ̇ ̇ ̇ ̇ ̇ ̇ ̇ ̇ Figure 4: Schéma de colonne Ceci permet ensuite les Keysplit Light et Heavy. ̇ ̇ ̇ ̇ Dans ce problème, une concentration minimale en Benzol de 99% dans la tête est exigée ( . o-Xylène ne doit pas dépasser une concentration maximale de 1% dans la tête ( . Avec ces données, il résulte selon le tableau 1 un Light Keysplit de LKS = 0,99 et un Heavy Keysplit de HKS =0,01. La dernière saisie nécessaire pour le calcul de la colonne Shortcut dans CHEMCAD est la spécification du rapport entre les rapports de reflux théorique et minimal . L'objectif de la simulation est la détermination du rapport de reflux optimal. En conséquence, on propose d'abord une valeur initiale qu'on optimise ensuite dans le cadre d'une étude de sensibilité (Sensitivity Study). Comme règle générale1, on spécifie un rapport entre (1 – 3). Pour un rapport 1, le rapport de reflux correspond au rapport de reflux minimal, ce qui conduirait à un nombre de plateaux infini. Pour cette raison, on choisit 1,1 comme valeur initiale. ____________________________ Löwe, Eberhard : Destillation Rektifikation, TFH Berlin, 1989 Tous les réglages sont alors terminés et la simulation peut être lancée. On s'attend à ce que la colonne converge. focused on process simulation Page 4 sur 11 Dans l'étape suivante, on calcule par le biais d'une Sensitivity Study [6] la courbe énergétique de l'appareil (Figure 5). Pour faire ceci, on fait varier le rapport entre 1,01 et 3 et trace le nombre de plateaux théorique correspondant. Figure 5: Courbe énergétique de l'appareil La courbe énergétique de l'appareil montre que le nombre de plateaux baisse lorsqu'on augmente le rapport . Il faut cependant prendre en compte pour le choix du rapport optimal que la puissance de l'évaporateur augmente avec le rapport, et ainsi aussi les frais d'exploitation. On prend comme rapport optimal et relance la simulation. Évaluation des résultats de la simulation focused on process simulation Page 5 sur 11 Les propriétés calculées de la colonne sont affichées dans la fenêtre de réglage de la colonne Shortcut, voir Figure 6. Avec les données réglées, un nombre de plateaux théorique de 13 a été calculé. Le plateau d'entrée se trouve sur le 7ème plateau. De la même manière, des résultats pour le rapport de reflux, le nombre minimal de plateaux et les puissances d'évaporateur et de condensateurs peuvent être relevés. Figure 6: Résultats de la simulation Shortcut. Un affichage des propriétés des flux du processus (voir Figure 8) peut être réalisé sous [Format][Add Stream Box]. Figure 7: Propriétés des flux La « Stream Box » permet de relever les fractions molaires de composants dans la tête, le fond et l'alimentation. On voit que les exigences requises par le problème sont remplies. Le benzol focused on process simulation Page 6 sur 11 est obtenu sous forme très pure. Seule une très faible concentration de o-xylène est perdue par la tête. Les résultats de la simulation ne sont que des valeurs indicatives et ne sont pas appropriés pour le dimensionnement d'une colonne réelle. La simulation détaillée doit être réalisée avec une colonne rigoureuse. Les propriétés de colonne calculées permettent néanmoins de délimiter le domaine de fonctionnement, ce qui permet de gagner du temps et du travail lors de la simulation de la colonne rigoureuse. Principes du procédé Dans ce qui suit, les connaissances théoriques élémentaires qui sont à la base de la fonction Shortcut sont exposées, approfondies et des informations plus détaillées sont communiquées. La méthode Shortcut permet une estimation simple et rapide des propriétés d'une colonne pour la séparation de mélanges idéaux, en simplifiant radicalement le système considéré. La simplification de la méthode Shortcut consiste dans la réduction du mélange étudié en un système binaire. Les deux composants à séparer sont désignés comme Light- et Heavykey, qui sont ensuite évalués dans le calcul idéalisé. D'autres composants influent sur la volatilité relative, mais ne sont pas considérés dans le calcul. Une autre simplification est de considérer la volatilité relative, respectivement les facteurs de séparation comme constants dans la plage de températures étudiées. La volatilité relative est définie comme : (1) On insère ici pour les fractions de la phase vapeur la loi de Dalton (2) avec la pression partielle pi et pour les fractions de la phase liquide la loi de Raoult (3) avec les coefficients d'activité et la pression vapeur on obtient (4) CHEMCAD nécessite pour le calcul des volatilités relatives que les coefficients d'activité et les pressions vapeurs du produit à haut point d'ébullition et du produit à bas point d'ébullition. Le calcul implémenté dans le modèle Shortcut suit les méthodes de Fenske Underwood et Gilliland, expliquées dans la suite. L'équation de Fenske (5) calcule le nombre minimal de plateaux pour un reflux total, si les pourcentages de matière/masse dans le distillat et le fond sont connus. La volatilité relative est focused on process simulation Page 7 sur 11 alors supposée constante. Comme la volatilité relative dépend aussi bien de la composition du mélange que de la pression et la température, on se sert d'une volatilité moyenne. ( ) (5) ̅ avec la volatilité relative moyenne ̅ √ (6) est la fraction molaire du produit à bas point d'ébullition dans la tête et la fraction molaire du produit à haut point d'ébullition dans le fond. L'équation Underwood (7) permet de calculer dans l'étape suivante le rapport de reflux minimal pour un nombre infini de plateaux. Il s'agit d'un calcul approximatif qui dépend de l'équilibre des phases et des propriétés de l'alimentation. ̅ [ ̅ ] (7) est la fraction molaire du produit à bas point d'ébullition dans l'alimentation. En règle générale, on multiplie le rapport de reflux minimal par une majoration. (8) L'équation de Gilliland est une approche empirique pour déterminer le nombre théorique de plateaux. Cette approche empirique est représentée dans un diagramme et peut être calculée par l'équation de Molokanov. Le diagramme peut être trouvé dans la littérature ([5], p.199). Le plateau d'entrée peut être déterminé par deux méthodes. La première est celle de Fenske. D'abord, on détermine le nombre de plateaux pour un reflux maximal selon Fenske (9). Ce nombre de plateaux correspond au nombre de plateaux nécessaire pour obtenir les concentrations de tête requises des Light- et Heavykeys, par rapport à la concentration de l'alimentation. ( ) ̅ (9) Le nombre de plateaux minimal et le nombre de plateaux selon Fenske permettent maintenant le calcul du plateau d'entrée théorique . (10) Alternativement, le plateau d'entrée peut être déterminé par l'équation de Kirkbride. Celle-ci est basée sur des données empiriques. On détermine le rapport entre le nombre théorique de focused on process simulation Page 8 sur 11 plateaux dans la partie de concentration et le nombre théorique de plateaux dans la partie d'entraînement. On en déduit ensuite le plateau d'entrée. [( ) ( ) ̇ ̇ ] (11) avec (12) Le tableau 3 donne un aperçu de la méthode Fenske- Underwood- Gilliand et résume les paramètres de calcul les plus importants. Tableau 3: Aperçu de l'équation précédemment utilisée Valeurs imposées Fenske - Concentrations de tête et de fond - Volatilités relatives Underwood - Concentrations d'alimentation et de tête - Volatilités relatives Gilliland - Nombre minimal de plateaux - Rapport de reflux minimal Kirkbride - Flux molaire de tête et de fond - Concentrations dans l'alimentation, la tête et le fond Valeurs à déterminer - Nombre minimal de plateaux - Plateau d'arrivée pour reflux maximal - Rapport de reflux minimal pour un nombre infini de plateaux - Rapport de reflux réel - nombre de plateaux théorique pour le rapport de reflux calculé - Plateau d'entrée théorique - Plateau d'entrée théorique La simulation présente à été réalisée avec CHEMCAD 6.4.0. Vous êtes intéressé par d'autres tutoriels, séminaires ou d'autres solutions avec CHEMCAD ? Visitez alors notre site Web. focused on process simulation Page 9 sur 11 www.chemstations.eu Ou contactez-nous : Courriel : [email protected] Tél. : +49 (0)30 20 200 600 Auteurs : Lisa Weise Daniel Seidl Références : [1] Kister, Henry Z.: Distillation design. McGraw-Hill, 1992 [2] Gmehling, Jürgen : Kolbe, Bärbel : Kleiber, Micheal : Rarey, Jürgen : Chemical Thermodynamics for Process Simulation. Wiley-VCH Verlag, 2012 [3] Edwards, John : Process Modeling Selection of Thermodynamic Methods [4] Schmidt, Wolfgang : Ideales Phasengleichgewicht und Shortcut Kolonne, juillet 2011 [5] Sattler, Klaus : Thermische Trennverfahren : Grundlagen, Auslegung, Apparate. Wiley-VCH Verlag, S.199-202 [6] Aide CHEMCAD focused on process simulation Page 10 sur 11 Recueil de formules Formule Signification ̇ Flux massique Fraction molaire dans la phase vapeur Fraction massique Rapport de reflux Volatilité relative Facteur k Fraction molaire dans la phase liquide Pression Pression de saturation Nombre de plateaux ̇ Flux molaire Indices Signification F Alimentation (Feed) D Distillat B Fond (Bottom) L Produit à bas point d'ébullition (Light component) H Produit à haut point d'ébullition (Heavy component) min minimal 1,2 Composant 1 & 2 i ième composant Recueil des indices focused on process simulation Page 11 sur 11