Etude de l`Aléa Logique \(SEU\) Induit Dans Les Mémoires SRAM

SETIT 2005
3rd International Conference: Sciences of Electronic,
Technologies of Information and Telecommunications
March 27-31, 2005 – TUNISIA
Etude de l’Aléa Logique (SEU)
Induit Dans Les Mémoires SRAM
Dj.Sadaoui *, A.Benslama ** et M.Benslama *
*Laboratoire d’électromagnétisme et télécommunication Université de Constantine
[email protected]
[email protected]
**Laboratoire de physique mathématique et sub atomique
[email protected]
Résumé: Les mémoires SRAM utilisées dans les domaines spatial, aérospatial et terrestre requièrent une sensibilité
relativement faible au phénomène de SEU (Single Event Upset). En effet, bien que ce mode de défaillance logique ne
soit pas destructif, le fait de devoir corriger en permanence les informations corrompues dans la mémoire n'est pas
acceptable. Cette sensibilité dépend principalement de deux facteurs: l'environnement dans lequel la mémoire est
amenée à fonctionner et la technologie utilisée pour concevoir cette fonction logique. L’intégration croissante des
technologies va dans le sens d'une plus grande sensibilité de ces composants.
Mots clés: Aléa logique, Ions lourd, proton, Radiations ionisantes, Single Event Upset ( SEU).
1 Introduction
La réduction continue de la taille et des paramètres
électriques des circuits intégrés, due aux progrès
technologiques dans le processus de fabrication
microélectronique a comme conséquence une
sensibilité accrue aux effets de l’environnement. En
particulier les circuits intégrés fonctionnant dans
l’espace sont sujets à différents phénomènes comme
conséquence des radiations, dont les effets peuvent
être permanents ou transitoires.
Les ions, présents dans l'espace, sont responsables
de phénomènes transitoires spécifiques, rassemblés
sous le sigle SEE (Single Event Effect), dont fait
partie le SEU (Single Event Upset) qui fait l'objet de
cette étude.
A la différence des ions lourds, Les ions légers
tels que les protons ont des LETs (Linear Energy
Transfer) trop faible
(<0.6 MeV/mg.cm2) pour
pouvoir par un dépôt direct d’énergie par ionisation
induire des effets électriques gênants dans les
composants [Edmonds, 2000]. Les aléas observés sous
flux de protons mettent en jeu des noyaux de recul
obtenus par interaction nucléaires entre la particule
incidente (proton) et les noyaux atomiques du milieu
(silicium). Ces secondaires, relativement lourds et
énergétiques, peuvent, au même titre que les ions
lourds primaires du rayonnement cosmique, avoir un
LET suffisant pour déclencher des upsets.
Dans le passé, on pouvait s’assurer d’un niveau
de fiabilité des circuits électroniques suffisant pour
une grande majorité d’applications, en éliminant les
circuits défaillants par le biais du test de fabrication.
Malheureusement, le test de fin de fabrication ne peut
pas protéger les circuits contre toutes les défaillances
qui se manifestent durant le fonctionnement du
circuit[Anghel, 2000].
A l’heure actuelle, le volume de test au sol de
l’électronique
s’accroît
considérablement.
La
sensibilité des composants aux ions lourds ou aux
protons est habituellement établit en irradiant ces
circuits à l’aide d’accélérateurs de particules [Dyer,
2001]. Cependant, la mise en place et le coût de telles
campagnes d’irradiations ont motivé l’élaboration de
modèles de prédiction afin d’en limiter le nombre.
Notamment, la nature même du processus indirect de
déclenchement d’upsets par protons permet la
modélisation des sections efficaces d’upset proton.
2 Les environnements radiatifs
En milieu radiatif le comportement d’un
composant électronique dépend notamment de la
nature et du flux du rayonnement incident. En milieu
spatial, ces contraintes peuvent être classées en quatre
catégories [Boudenot 1995].
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- Les ceintures de radiations : elles sont formées
d’électrons, d’énergie inférieure à 7 MeV, et de
protons d’énergie inférieure à quelques centaines de
MeV.
- Le rayonnement cosmique : il est constitué
d’ions totalement ionisés dans une gamme d’énergie
comprise entre 1 GeV et 1020 eV. Les protons et
l’hélium représentent la grande majorité de ce type de
rayonnement même si pratiquement tous les autres
éléments de la table périodique y sont représentés.
- Le vent solaire : constitué pour l’essentiel
d’électrons de protons et d’hélium d’énergie inférieure
à 100 KeV. De par leur faible énergie, ces particules
sont très rapidement arrêtées et n'arrivent pas au
contact des composants.
- Les éruptions solaires : elles peuvent être de
deux types. Les éruptions riches en protons qui ont un
spectre d’énergie pouvant aller jusqu’à une centaine
de MeV et les éruptions solaires à ions lourds qui ont
un spectre en énergie allant de quelques dizaines à
quelques centaines de MeV. Si le spectre est moins
dur ici que pour les rayons cosmiques, le flux d’ions
peut être en revanche 100 à 1000 fois plus important.
4. Effets des radiations sur les mémoires
SRAM
4.1 Les Mémoires SRAM
Dans un circuit électronique, le stockage de
l’information s’effectue par l’intermédiaire de charges
s’accumulant dans certains zones très localisées des
composants. Chaque information stockée en mémoire
se trouve à un emplacement précis appelé " adresse
mémoire ". La manière dont l'information est stockée
est comparable à un tableau constitué de lignes et de
colonnes. L'intersection d'une ligne et d'une colonne
forme une cellule appelée " point de mémoire ".
Le point mémoire est une bascule bistable composée
de deux inverseurs MOS rétrocouplés.
3. Les événements singuliers
Les phénomènes associés aux ions lourds ont
seulement été découverts et pris en compte au début
des années 80. L'impact des ions lourds n'avait
jusqu'alors que peu d'effet sur l'électronique. La part
croissante de l'électronique embarquée dans les
missions spatiales, l'allongement de ces missions et la
forte intégration des circuits font, qu'aujourd'hui, la
prise en compte de l'effet des ions lourds est d'une
importance majeure dans le choix de certains
composants pour la fiabilité d'un satellite. Depuis peu,
les particules ionisantes plus généralement deviennent
un sujet de préoccupation grandissant pour la fiabilité
de l'électronique opérant au niveau du sol. Jusqu'à
présent, seuls les circuits très fortement intégrés sont
concernés par ce mode de défaillance pour
l'environnement terrestre. Le passage d'une particule
ionisante (d'origine primaire ou secondaire) dans une
mémoire peut engendrer différents types d'événements
pouvant conduire à la défaillance voire la destruction
du composant. Parmi ces évènements doivent être
mentionnées :
•
•
Le SEU ou Single Event Upset qui
correspond au changement d'état logique d'un
point mémoire.
Le SEL (Single Event Latchup) résulte de la
mise en conduction (effet thyristor) d’une
structure parasite
p-n-p-n
dans un
composant CMOS [Buchanan & al.,
2001].
Figure 1. Point mémoire
Sur cette figure, les potentiels des points A et B
sont complémentaires (Ā=B). La donnée est stockée
par l’intermédiaire des points A ou B. Les deux états
stables possibles correspondent au 1 et au 0 logique.
Chaque cellule mémoire conserve donc un bit
d’information défini par un état bas ou un état haut.
On dit que la cellule présente un état haut lorsque le
nœud A présente un niveau de tension haut (B un
niveau Bas). Inversement, l’état bas est défini lorsque
le nœud A présente un niveau de tension bas ( B un
niveau haut).
Deux transistors sont ajoutés pour constituer la
cellule élémentaire. Ils jouent le rôle de portes de
transfert ou de transmission et permettent ainsi
d’écrire ou de lire l’information dans le point
mémoire. Pour gérer ces accès au niveau circuit, il faut
rajouter un ensemble d’éléments périphériques
constitués de décodeurs d’adresses et d’amplificateurs.
Ces éléments occupent environs 40% de la surface
totale de la mémoire.
4.2 Descriptions du phénomène de SEU dans une
SRAM
Le phénomène de Single Event Upset (SEU)
correspond au changement d'état logique d'un point
mémoire suite au passage d'une particule unique. Ce
changement accidentel de niveau logique dans une
mémoire est réversible (le point mémoire pourra être
corrigé par le processus normal d'écriture) et ne
conduit pas à la destruction du composant. De manière
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générale, tout composant électronique possédant des
points de mémorisation est sensible au SEU.
Une approche du phénomène de SEU consiste à
considérer globalement l’effet d’un ion comme une
impulsion de courant parasite appliquée à la cellule
SRAM. Le point mémoire contient une information
donnée et l’impact de la particule est localisé dans un
transistor bloqué. Pour décrire le mécanisme entrant
en jeu, étudions le cas d’un bistable CMOS,
schématisé dans la figure 2.
Une analyse au premier ordre indique que l’apport de
charges induit par une particule peut provoquer un
upset si :
•
•
•
•
La particule ionisante traverse le composant à
proximité d’une surface sensible. La surface
la plus sensible d’une cellule mémoire à été
identifiée comme étant le drain du transistor
NMOS bloqué.
La charge collectée est au moins égale à une
charge minimum appelée charge critique.
Cette quantité serait égale à l’intégrale du
courant transitoire du drain du transistor
NMOS bloqué, jusqu’au temps de
basculement minimal.
L’impulsion de courant créé par la particule
est suffisamment longue pour que l’effet de
mémorisation puisse intervenir.
La charge nécessaire au basculement doit être
collectée au nœud sensible suivant que le
cycle de réécriture n’intervienne.
6.Moyen de prévention
protection face aux SEE’s
et
de
Un moyen de faire face aux effets des radiations
consiste à minimiser la probabilité d’apparition des
effets qui leurs sont liés. Trois types d’actions
permettent cette prévention.
(a)
(b)
(c)
Figure 2. SEU dans un point mémoire CMOS - (a) Etat
initial du point mémoire - (b) Passage d’ion lourd au niveau
du transistor N2 - (c) Changement d’état du point mémoire.
Le circuit est conçu de sorte qu’il a deux états
stables, l’un qui représente un « 0 » et l’autre qui
représente un « 1 ». Dans chacun des états logiques
stables, deux transistors sont dans un état passant
(« ON » ) et les deux autres dans un état bloquant
(« OFF »). Un upset se produit, par exemple, quand
une particule énergétique touche le drain du transistor
N2 bloqué. L’impulsion de courant produite dans le
nœud B change son potentiel, cette variation est
transmise à l’autre moitié de la cellule bistable si cette
impulsion produit une variation de tension suffisante
pour provoquer la modification de l’état du transistor
P1, le nœud A changera d’état. Si cet état est maintenu
suffisamment longtemps pour que l’effet de la
mémorisation intervienne, il y aura un basculement
logique.
5.Conditions nécessaires au déclenchement
du SEU :
Le temps de réponse d’une cellule SRAM au stress
que représente le passage d’une particule ionisante (de
l’ordre de la femtoseconde) est de quelques dizaines
de picosecondes.
6.1 Le blindage :
Il a pour but d’éliminer ou du moins de réduire, le
flux et l’énergie des particules incidentes. Il s’agit, en
général, d’une feuille d’aluminium de quelques
millimètres d’épaisseur. Les électrons sont
considérablement ralentis par la présence du blindage,
mais l’effet d’atténuation est beaucoup plus faible
pour les protons, surtout les plus énergétiques. Les
blindages deviennent complètement inefficaces contre
les particules des rayons cosmiques qui peuvent avoir
des énergies de plusieurs MeV voire de l’ordre du
GeV. Cette solution, bien que souvent utilisé pour
l'effet de dose, est très mal appropriée au SEU, voire
non envisageable.
6.2 Le durcissement des composants
Deux approches permettent de diminuer la
sensibilité aux rayonnements l’une, au niveau
technologique, utilise des méthodes de fabrication de
composants plus robustes ; l’autre agit soit au niveau
de la conception du système entier ou le durcissement
se réalise plutôt grâce à des architectures tolérantes
aux fautes transitoires, soit par la modification de la
taille des dispositifs sensibles aux SEE (tels les
registres, les points mémoires…).
6.3 Prévention au niveau système
Les deux moyens de prévention précédemment cités
(technologique et architectural) ne permettent pas une
protection totale, en particulier face aux erreurs
SETIT2005
produites par les upsets. Des précautions
supplémentaires doivent donc être prises au niveau du
système, généralement d’après quatre approches.
•
•
•
•
Détection et correction d’erreurs : cette
méthode consiste à ajouter des bits
supplémentaires, dit bit de contrôle, à tout
mot d’une mémoire.
Redondance : elle peut se faire à deux
niveaux, redondance matérielle et/ou logiciel.
Chien de garde : un message est envoyé
d’un point à un autre d’un circuit ou d’un
système. Si le récepteur ne reçoit pas de
message dans un intervalle de temps donné,
une action prédéterminée est effectuer.
La contrôle à partir du sol : cette méthode
de dernier recours, consiste à réinitialiser, en
cas d’erreurs ou de « Watchdog timer », un
système défaillant. Il peut aussi être procédé
à un téléchargement régulier depuis la terre,
des données critiques afin de prévenir les
erreurs.
7. Moyen de prévision du SEU
Tous les moyens de prévention précédemment
cités ne permettent pas à priori une immunité totale
face aux SEE’s et en particulier aux Upsets. Un
moyen d'assurer un fonctionnement et une durée de
vie optimaux à une mission spatiale est, de prendre les
précautions maximales de protection. Pour cela, des
tests au sol et un calcul de prédiction sont nécessaires.
Une fois un composant caractérisé, il est alors possible
de l'éliminer s'il est trop sensible ou de prévoir les
actions adéquates (watchdog timer, reset périodique,
...) afin de diminuer les risques en orbite.
7.1.1 SEU induit par Ions lourds
Une particule ionisante, lors de son passage dans
un composant, dépose de l'énergie par ionisation de la
matière tout au long de sa trace. Ce dépôt d'énergie
par unité de longueur, dE/dx, correspond à la création
de pair électron-trou, Cette grandeur est appelée LET
[Huhtinen, & al., 1999]. Pour un composant donné,
l'effet d'un ion ne conduit à une défaillance qu'audessus d'un LET minimal appelé LET seuil, qui
s'exprime en MeV cm2mg-1 ou en pC/µm. Pour un flux
d'ions de LET donné, le nombre d'événements alors
comptabilisés est d'autant plus grand que la surface
sensible du composant est elle-même plus grande (les
zones sensibles ne couvrent pas toute la surface du
composant). C'est pourquoi on introduit la notion de
section efficace, exprimée en cm2, qui permet
d'indiquer la sensibilité d'un composant à un
phénomène donné. Cette section efficace, s'exprime en
fonction du taux d'événements N comptabilisés et de
la fluence
d'ions lourds qui correspond au flux
normal à la surface du composant, en particules par
cm2 et par seconde, que multiplie le temps
d'irradiation[Buchanan & al., 1999].
(cm2) = N(événements) /(Nombre de particule.cm-2)
La fonction de Weibull utiliser pour la prédiction de
la section efficace induite par ion lourd est donnée par
[Laa, 2002 ][ Normand,1996 ] :
( )
S


σ (L )=σ 0 1−exp  − L− L0 
W



=0
Le but de tels tests est d'obtenir une
caractérisation de la sensibilité face aux upsets du
circuit étudié et cela pour différentes valeurs de LET,
afin de déterminer la courbes de section efficace.
, L< L0
où :
σ0 : section efficace asymptotique (par bit ou
par device).
L0 : Let seuil.
W : Paramètre de largeur.
S
: Paramètre de forme (si S=1 la
distribution est exponentiel, si S=2 c’est une
distribution de Raleigh et si S=4 c’est une
distribution normal).
7.1 Les tests au sol
10
10
S ec tion E ffic ac e (c m 2)
Cette simulation d'upsets au sol, consiste à
exposer le circuit à caractériser à un rayonnement qui
soit aussi représentatif que possible de celui qu'il
rencontrera durant son utilisation finale (mission
spatiale). L'évaluation sous ambiance radiative du
comportement des circuits intégrés, soulève différents
problèmes. Le premier est la reproduction de
l'environnement spatial par un faisceau de particules
(ions lourds, électrons, protons) similaire à celui
rencontré dans l'espace. Il est aussi nécessaire de
développer un environnement électronique faisant
l'interface entre le circuit sous test et le monde
extérieur durant son irradiation et collectant les
résultats, il s'agit du système de test. Enfin, une
stratégie de test destinée à évaluer la sensibilité du
composant doit être développée.
, L≥ L0
10
10
10
10
10
S ec tion effic ac e d"ups et induit par Ions Lourds
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
0
20
40
60
80
LE T (M E V /m g.c m 2)
Figure 3. Section efficace d’upset induit par ion lourd en
fonction du LET (SRAM HM65656 32K8).
SETIT2005
7.1.2 SEU induit par Protons :
Les ions de faible masse, comme les protons ou
les particules alpha, ont un LET relativement faible.
Jusqu'à présent la valeur du LET de ces particules était
insuffisante pour que l'ionisation directe qu'elles
produisent induise des effets électriques gênants dans
les composants. En plus de ces effets directs, ces
particules peuvent provoquer des réactions nucléaires
avec les noyaux atomiques de la cible lorsque leur
énergie est assez grande. Les fragments qui en
résultent peuvent être des ions lourds secondaires, qui
ont la propriété d'affecter le bon fonctionnement des
technologies depuis quelques années. Ces réactions
nucléaires peuvent être provoquées également par les
ions lourds primaires, mais la probabilité de ce type
d'interaction est faible et l'effet est quantitativement
négligeable. L'abondance des ions légers nécessite de
prendre en compte leurs effets. Les protons d'origine
solaire ou cosmique, ainsi que ceux piégés dans les
ceintures de radiation (en particulier au niveau de
l'anomalie de l'Atlantique sud [Vial, 1998]), peuvent
donc induire une réaction nucléaire avec le silicium
des composants embarqués dans les satellites. Cette
réaction peut conduire au recul d'un noyau lourd
accompagné par l'émission de radiations de type,
protons ou neutrons. Ces ions secondaires ont un
parcours dans la matière très faible (quelques microns)
mais dont l'origine peut se situer dans la partie active
du composant. Ils peuvent donc être à l'origine de
certaines défaillances. On retiendra que la probabilité
de produire un ion secondaire est de l'ordre de 10-5
par proton alors que le flux de protons peut être 105
fois plus important que le flux d'ions lourds primaires.
Au cours de ces dix dernières années de
nombreuses équipes se sont intéressées à l’élaboration
de modèles de prédictions des sections efficaces
d’upset proton σ(Ep).
A.
S ec tion effic ac e (c m 2/devic e)
10
()
=
0
ailleurs
S : section efficace à saturation (Section Efficace aux
énergies élevées du proton).
A : l’énergie Seuil.
La figure 4 présente un exemple de l’application
de ce modèle sur la SRAM XC4036XLA.
-9
-10
-11
0
20
40
60
E nergie (M eV )
80
100
120
Figure 4. Section efficace d’Upset induit par proton
(modèle de Bendel à deux paramètres modifié) pour la
SRAM XC4036XLA.
En contrepartie de sa facilité de mise en œuvre le
modèle classique de Bendel s’avère insuffisamment
précis dans de nombreux cas.
B. Modèle de Profit (PROtonFIT): [Buchanan
& al., 2001]
P. Calvel propose une méthode originale pour le
calcul des sections efficaces d’upset proton, faisant
intervenir la diffusion coulombienne des protons sur
les atomes de silicium.
La section efficace d’upset utilisée dans le modèle de
PROFIT est donnée par :

  L (E s (E )− L0 )  S  
σ (E ) = σ 0  1 − exp  −
   c N at σ nucl (E ).
 
W
  


i
L(Esi (E)) est le pouvoir d’arrêt électronique des ions
du silicium.
 a + c E + e E2 

L (E ) = exp 
2 
1+b E + d E 
Où :
a = -0.150, b = 1.040, c = 3.100, d = 3.9x10-3
et e = 3.106x10-3.
La section efficace nucléaire est donnée par :
σ nuc (E )= β Eα .10−27
4
14

12 
σ (E) =S 1−exp−0.18⋅ 18  (E−A)  , E>A
A 



10
10
Modèle de Bendel modifié :
Le modèle de Bendel modifié utilise un seul
paramètre pour décrire une valeur de la saturation de
la section efficace et un autre paramètre considéré
comme l’énergie seuil pour décrire le comportement
du composant aux basses énergies.
10
S ec tion E ffic ac e d"ups et induit par P ROTONS
-8
Où :
α = -0.5 et β =758.95.
l'énergie de recul de l'atome du silicium suite à la
diffusion élastique d’un proton d’énergie E est donnée
par la formule suivante :
Esi =
( )
4 Asi
sin 2 T E
2
(1+ Asi )2
SETIT2005
Conclusion :
Où :
T : angle de diffusion.
Asi =28 est la masse atomique du silicium.
Nat =5 x 1022 nombre atomique/cm3.
c : est la profondeur d’épuisement.
Pour les calculs réalisés avec la méthode de Profit,
nous avons pris d = 2 µm, c’est la valeur proposée par
Calvel et considérée comme la mieux adaptée à son
modèle. En moyenne la saturation est prédite avec
70% d’erreur seulement.
La figure 5 présente le résultat de l’application du
modèle de profit pour T = 90° (cas le plus
défavorable).
10
Sec tion effic ac e(c m 2/devic e)
10
10
10
10
Sec tion effic ac e d"ups et induit par P ROTONS
-6
-8
-12
-14
0
10
1
10
2
10
3
ENE RGIE (M eV )
Figure 5. Section efficace d’upset induit par proton en
fonction de l’énergie incidente du proton (modèle de
PROFIT pour la SRAM Xilinx XQRV300).
Nous constatons que la validité du modèle de PROFIT
est limitée aux énergies élevées. Dans le cas du
modèle de profit l’interaction est supposée élastique,
l'énergie après interaction de l'ion du silicium dans ce
cas est proportionnelle à l'énergie du proton.La courbe
du LET en fonction de l’énergie du proton est
présentée en figure 6. La courbe atteint un maximum à
une énergie du proton d'approximativement 300 MeV.
Au-dessus de cette énergie les LET commencent à
diminuer de leurs maximums d'approximativement
15MeV.cm2/mg.
16
12
10
8
Remerciements
Les auteurs tiennent à remercier le laboratoire
pour son soutien, son aide précieux, ses critiques et ses
encouragements.
Références
Anghel, 2000 L.Anghel, «Les limites du silicium et
tolérance aux fautes », thèse de doctorat en électronique de
l’institut nationale polytechnique de Grenoble,15 octobre
2000.
Boudenot 1995 J.C. Boudenot, « L’environnement
spatial », ed. Presses Universitaires de France, Collection «
Que sais-je ? », Octobre 1995.
6
4
2
0
0
10
Dans la perspective d’une infrastructure orbitale
de plus en plus complexe, l’enjeu économique des
programmes spatiaux lié au développement des
constellations de satellite et le risque encouru en vie
humaine rendent impérative la conception de systèmes
électroniques qui soient « libérés » des contraintes
associées à ces phénomènes.
Binder & al., 1975 D. Binder, E. C. Smith et A.B.
Holman, "Satellite anomalies from galactic cosmic rays",
IEEE Transactions on Nuclear Science, NS-22, N°6, pp.
2675-2680, décembre 1975.
14
LE T (M eV -c m 2/m g)
Suivant la nature du projet spatial, il faudra
trouver un compromis entre les contraintes imposées
par les environnements radiatives et les considérations
techniques et économiques qui prévalent lors de la
réalisation d'un système électronique. Ceci est
nécessaire pour aboutir à la mise en place d'une
méthodologie particulière agissant au niveau du
système, de l'équipement ou du composant. Le risque
d'erreur toléré est ainsi variable d'un projet à l'autre.
Les projets d'applications, où le risque doit être
minimum, sont généralement distingués des projets
scientifiques ou à faible coût pour lesquels on est
amené à tolérer un risque plus important.
En dépit du peu d'informations concernant la
sensibilité SEU des mémoires CMOS SRAM, il
semble clair que les rayonnements radiatifs ionisants
soient à présent un problème significatif pour les
applications spatial et terrestres.
-10
10
La connaissance de la réponse des mémoires
SRAM aux phénomènes SEU, et donc du risque
encouru, est indispensable afin de pouvoir statuer sur
leur éventuelle utilisation dans les milieux radiatifs,
qu'ils soient spatiaux, aérospatial ou terrestre.
10
1
10
2
E nergie (M eV )
Figure 6 . LET en fonction de l’énergie du proton.
10
3
Buchanan & al., 2001 N.Buchanan, D.M.Guingritch,
«Proton induced Radiation Effects On a Xilins FPGA and
Estimates of SEE in the ATLAS Environment »,Center of
Subatomic Research University of Alberta, Edmonton, AB,
Canada, TRIUMF, Vancouver, BC, Canada, April 24, 2001.
SETIT2005
Buchanan & al., 1999 N. Buchanan, D. Guingritch, «
Proton Single-Event Upsets in Xilinx FPGA », University of
Alberta, Uofa-Atlas-99-02, November 18, 1999.
Dyer, 2001 C. Dyer « Radiation Effects on Spacecraft
& Aircraft Space Department », QinetiQ, Cody Technology
Park, Farnborough, Hampshire GU14 0LX, UK, Copyright
QinetiQ Limited 2001.
Edmonds, 2000 L.D. Edmonds « Proton SEU Cross
Sections Derived from Heavy-Ion Test Data », IEEE
Transaction on Nuclear Science,Vol. 47, NO. 5, OCTOBER
2000.
Huhtinen, & al., 1999 M. Huhtinen, F. Faccio «
Computational Method to Estimate Single Event Upset
Rates in an Accelerator Environment », CERN, CH-1211
Geneva 23, Switzerland, Preprint submitted to Elsevier
Preprint 11 October 1999.
Laa, 2002 C. Laa, « Comparison of CREME96 and
SPENVIS », Austrian Aerospace Ges.m.b.H 2002.
Normand, 1996 E. Normand, “Single-event effects in
avionics,” IEEE Trans.Nucl. Sci., vol. 43, no. 2, pp. 461474, April 1996.
Schwartz & al., 1997 HR.Shwartz, D.K.Nichols and
A.H.Johnston, « Single Event Upset in Flash Memories »,
IEEE transactions on nuclear science, vol 44,no 6,December
1997.
Scheick & al., 2001 L.Z. Scheick, G.M. Swift, and
S.M. Guertin, « SEU Evaluation of SRAM Memories for
Space Applications », IEEE Trans. Nuclear Science, 47 (6)
(2001).
Vial, 1998 C. Vial, « Evaluation de la probabilité des
aléas logiques induits par les neutrons atmosphériques dans
le silicium des SRAM », Thèse, Université Montpellier II,
octobre 1998.