Contexte d`information Cours AMSI Titre du document Les
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AMSI Contexte d’information Titre du document Nom du fichier Cours AMSI Les Cartes mères CH11_Les_Mémoires Objectifs : - Caractéristiques des mémoires - Les différentes catégories - Organisation physique et fonctionnement 1] Introduction La mémoire est un dispositif capable - D’enregistrer des informations, - De les conserver aussi longtemps que nécessaire ou que possible, - Puis de les restituer à la demande. Dans le système informatique on distingue deux grands types de mémoire : - la mémoire de travail, une mémoire rapide, peu encombrante physiquement, mais coûteuse. C'est la mémoire centrale (RAM + ROM) - la mémoire de masse (ou mémoire auxiliaire), une mémoire plus lente, plus encombrante physiquement, mais meilleur marché. C'est la mémoire de sauvegarde des informations 2] Caractéristiques des mémoires * Le stockage : En informatique, l´information de base (l´alphabet des ordinateurs) est composée de deux valeurs 1 et 0. Généralement, 1 signifie le courant passe et 0 le courant ne passe pas. En fait, on ne va pas faire passer en permanence du courant pour que la mémoire sache qu´elle doit stocker le chiffre 1. La mémoire doit se souvenir que du courant l´a traversée, c´est-à-dire conserver une trace du passage du courant. Ensuite, c’est en interrogeant cette trace que l´on arrive à savoir si la valeur stockée est 1 ou 0. Pour que cela fonctionne, on utilise des composants électroniques qui savent stocker le courant électrique. Ce sont des condensateurs associés à des transistors qui jouent ce rôle. Un seul composant mémoire peut intégrer plusieurs millions de ces condensateurs-transistors. * La capacité : C’est la quantité d’informations que peut stocker la mémoire. Elle se mesure en bits, octets ou mots de 8, 16, 32 ou 64 bits. On utilise les multiples de l'octet. Unité Kilo-octet Méga-octet Giga-octet Téra-octet Péta-octet Exa-octet Notation Ko Mo Go To Po Eo Taille 210 220 230 240 250 260 * La volatilité : La volatilité représente le laps de temps durant lequel la mémoire est capable de retenir des informations de manière fiable, notamment si l’on supprime l’alimentation électrique de l’ordinateur. Par exemple, une mémoire sur disquette magnétique est dite non volatile alors que la mémoire vive de l’ordinateur est volatile : elle s’efface si l’on coupe le courant. * Le temps d’accès ou temps de latence correspond au temps nécessaire pour accéder en mémoire à l’information recherchée. Ainsi, une mémoire centrale, constituée de composants électroniques, sera généralement d’un accès très rapide (qui se mesure en nano-secondes ou 10-9 s) alors qu’une mémoire M. Guillien Page 1 sur 15 AMSI sur support magnétique comme une disquette aura un temps d’accès important (se mesurant la plupart du temps en milli-secondes ou 10-3 s). Ramené à l’échelle de l’homme, le rapport entre ces deux temps d’accès est à peu près équivalent à un accès à l’information en 1 seconde (mémoire centrale) contre un accès en 12 jours (mémoire de masse). Ce rapport est très important pour bien comprendre l’importance du rôle de la mémoire centrale et ses rapports avec la mémoire de masse. * Le type d'accès à l'information : L’accès à l’information peut se faire de deux manières : - par un accès séquentiel (VHS, bande magnétique de sauvegarde). - par un accès direct (DVD, disque dur) * La bande passante : La bande passante tend à remplacer le critère temps d’accès. Elle correspond au produit de la largeur du bus par sa fréquence. Exemple : un bus de données de 16 bits à 800 Mhz atteint une bande passante de 1,6 Go/s. Plus la bande passante est élevée, plus la mémoire est performante. * L’encombrement physique : Le composants doivent occuper le moins de place possible. Ainsi, l’essor de l’informatique a été possible grâce à la réduction des volumes, notamment des mémoires. * Le prix de revient : En règle générale les mémoires comme la Ram ont un coût de stockage au bit relativement élevé ce qui explique leur faible capacité, alors que les mémoires de masse sont moins chères (bandes, disqettes…). * La fiabilité : Il faut, en effet, que l’information mémorisée ne soit pas altérée (système de détection d’erreurs). L’idéal serait d’avoir dans une machine des constituants alliant tous les avantages : Stocker un maximum d’informations dans un minimum de place avec un maximum de fiabilité et ceci au moindre coût avec un minimum de temps. Résumé M. Guillien Page 2 sur 15 AMSI 3] La mémoire centrale 3- A- Que contient cette mémoire ? La mémoire centrale peut se représenter comme un ensemble de cases (cellules) dans lesquelles on peut ranger des informations qui auront toutes la même taille (mot mémoire). Ces mots mémoire représentent les instructions qui composent - les programmes du système ou de l’utilisateur - les données à traiter à l’aide de ces programmes 3- B- Structure physique Afin de pouvoir retrouver dans la mémoire centrale la cellule qui contient le mot mémoire que l’on recherche, les cellules sont repérées par leur adresse (emplacement) dans la mémoire. Elles sont numérotées par ordre croissant. D'un point de vue matériel, la structure conventionnelle des mémoires à semiconducteurs est de type matricielle. On peut la représenter simplement comme un tableau constitué de lignes et de colonnes, l’intersection d’une ligne et d’une colonne formant une cellule nommée point mémoire. Chaque point mémoire est en réalité une puce - composée d'un ou plusieurs transistors couplé(s) avec un condensateur - destinée à contenir des données. Chaque puce de la matrice dispose d'une adresse propre définie par - son numéro de ligne - son numéro de colonne M. Guillien Page 3 sur 15 AMSI Toute information présente dans la mémoire est alors directement accessible via cette adresse. Remarque : L’abréviation CS (Chip Select) représente la sélection du boîtier. Cela ne vous rappelle rien ? Le temps d'accès aux données est indépendant du numéro de la cellule adressée et c'est en quoi la mémoire est dite à accès aléatoire (random access). Rien à voir donc avec un éventuel accès "au hasard" tel que la formulation pourrait le suggérer. La mémoire centrale est composée de deux catégories de mémoire : mémoire vive (RAM) mémoire morte (ROM) 4] La mémoire vive La mémoire vive est une mémoire pouvant être être lue ou écrite à volonté. Elle est plus connue sous le nom de RAM (Random Access Memory). C’est une mémoire volatile qui ne conserve ses informations que tant qu’elle est alimentée en courant électrique. On la retrouve sous forme : - de barrette mémoire, - de mémoire cache, - de mémoire intégrée à des périphériques aussi divers que les cartes graphiques, les cartes sons, les disques durs, les graveurs de CD-ROM ou les imprimantes. On peut distinguer deux catégories de mémoires vives qui dépendent de la technique de conception : - les mémoires vives statiques. - Les mémoires vives dynamiques Du fait de l'évolution de la vitesse des cartes mère, la mémoire est en constante évolution. Plusieurs types sont présents sur le marché. La mémoire vive statique (SRAM) : La SRAM (Static Random Access Memory) permet de conserver l’information sans la réécrire en permanence. Ainsi, si la tension est maintenue sans coupure, l'information peut se maintenir jusqu'à une centaine d'heures sans dégradation. Ce type de mémoire est très rapide (entre 6 et 15 ns), mais assez chère car on a des difficultés à atteindre une bonne densité d'intégration. On l'utilise donc essentiellement pour des mémoires de faible capacité, comme dans la mémoire cache et les registres. La mémoire vive dynamique (DRAM) : Dans la DRAM (Dynamic Random Access Memory), les informations sont stockées dans la mémoire vive sous forme de charges électriques dans les condensateurs des points mémoire. Ces condensateurs ont la fâcheuse tendance à se décharger naturellement, il est donc nécessaire, pour conserver l'information présente dans la RAM, d'entretenir leur charge périodiquement par une relecture et une réécriture des informations. Cette opération dite de rafraîchissement est effectuée plusieurs centaines de fois par seconde. Pendant cette opération, la mémoire est indisponible ce qui en ralentit le temps d'accès. Ce temps d'accès est de l'ordre de 40 ns pour les plus rapides, et couramment de 60 à 70 ns. M. Guillien Page 4 sur 15 AMSI 4- A- La mémoire SDRAM La caractéristique principale de la SDRAM (Synchronous DRAM ou "mémoire dynamique synchrone") est synchronisé (d'où son nom) sur la fréquence d'horloge de la carte mère (FSB), ce qui n'était pas le cas jusqu'ici avec les types de RAM précédents (FPM, EDO). Avec de la mémoire asynchrone, comme la FPM ou l'EDO, le système imposait obligatoirement des délais d'attente (wait states) au processeur, afin de synchroniser les échanges avec l'horloge propre de la mémoire. L'avantage de la SDRAM est d'éliminer ces "wait states", puisque mémoire et processeur fonctionnent à la même vitesse. On atteint selon la fréquence et la largeur de bus, une bande passante de 528 MO/s à 1064 Mo/s et des capacité de 64 à 512 Mo par barrette. Ainsi une SDRAM PC 133 avec une largeur de bus de 64 bits permet d’atteindre un taux de transfert de ( 64 * 133 ) / 8 soit 1064 Mo/s Autres fréquences : PC 66, 100 et 150 4- B- La mémoire DDR-SDRAM Samsung, Nec et Toshiba se sont associés pour mettre au point un nouveau standard dit DDR (Double Data Rate) ou DDRam ou SDRAM II qui offre une architecture 64 bits fonctionnant avec un bus système cadencé de 100 Mhz à 250 Mhz. Elle est capable de lire les données sur les fronts montants et descendants de l’horloge, ce qui double son taux de transfert initial (double data rate) et lui permet d’atteindre une bande passante théorique de 4 Go/s (DDR PC4000 ou DDR 500). Il existe donc la PC2100, PC2400, PC2700, PC3200, PC3500 et PC4000. Les capacités démarre à 128 Mo jusqu’à 1 Go. Compte tenu de la baisse des coûts et des besoins croissants en mémoire rapide, la DDR SDRAM fait aujourd’hui l’unanimité chez les grands (Intel, AMD …). 4- C- La DDR2-SDRAM L’évolution de ces mémoires DDR-2 ou DDR permet d'atteindre des débits deux fois plus élevés que la DDR à fréquence égale. On parle de QDR (Quadruple Data Rate ou quad-pumped) pour désigner la méthode de lecture et d'écriture utilisée. La mémoire DDR2 utilise en effet deux canaux séparés pour la lecture et pour l'écriture, si bien qu'elle est capable d'envoyer ou de recevoir deux fois plus de données que la DDR. Elle possède également un plus grand nombre de connecteurs (240 pour la DDR2 contre 184 pour la DDR). M. Guillien Page 5 sur 15 AMSI La lecture et l’écriture se font sur les fronts montants et descendants de l’horloge. 4- D- La DDR3-SDRAM Elle fonctionne à une tension de 1,5 volts au lieu de 1,8 pour la DDR2 et 2,5 pour la DDR. Elle consomme donc moins d’énergie (40 % en moins) et offre une vitesse de transfert quasiment deux fois plus élevée que celle proposée par la DDR2. La gravure des transistors sur les premiers modules n’excède pas 80 nanomètres. Différentes fréquences sont prévues : 800, 1066 et 200 Mhz et une gravure portée à 70 voire 60 nanomètres. Les cartes mères actuelles sont désormais capables de gérer le dual channel (Dual DDR). Les modules mémoires offrent généralement un bus de 64 bits compatible avec les contrôleurs traditionnels mais les plus performants utilisent désormais un bus de 128 bits sur deux canaux. Ils peuvent donc accéder à deux modules en même temps. Le taux de transfert est multiplié par deux. 4- E- La DR-SDRAM (Direct Rambus DRAM oun encore RDRAM) La société californienne Rambus Inc. a proposé une nouvelle technologie de conception des mémoires, la DRDRAM (Direct Rambus DRAM). Cette technologie utilise des contrôleurs (chipset) spécifiques lui permettant d'être environ 10 fois plus rapide qu'une DRAM classique. Ce sont des mémoires 64 bits. Elles assurent un débit théorique de 1, 6 Go/s grâce à une fréquence de bus de 800 Mhz et un bus de 16 bits de largeur (RDRAM PC800). Comme pour la SDRAM, elle est synchronisé avec le bus système. Elle a équipée pendant un moment les Pentium 4 de première génération. Son prix est relativement élevé. 4- F- Récapitulatif Le tableau ci-dessous donne la correspondance entre la fréquence de la carte-mère (FSB), celle de la mémoire (RAM) et son débit : M. Guillien Page 6 sur 15 AMSI Mémoire DDR200 DDR266 DDR333 DDR400 DDR433 DDR466 DDR500 DDR533 DDR538 DDR550 DDR2-400 DDR2-533 DDR2-667 DDR2-675 DDR2-800 Appellation PC1600 PC2100 PC2700 PC3200 PC3500 PC3700 PC4000 PC4200 PC4300 PC4400 PC2-3200 PC2-4300 PC2-5300 PC2-5400 PC2-6400 Fréquence (RAM) 200 MHz 266 MHz 333 MHz 400 MHz 433 MHz 466 MHz 500 MHz 533 MHz 538 MHz 550 MHz 400 MHz 533 MHz 667 MHz 675 MHz 800 MHz Fréquence (FSB) 100 MHz 133 MHz 166 MHz 200 MHz 217 MHz 233 MHz 250 MHz 266 MHz 269 MHz 275 MHz 100 MHz 133 MHz 167 MHz 168,75 MHz 200 MHz Débit 1,6 Go/s 2,1 Go/s 2,7 Go/s 3,2 Go/s 3,5 Go/s 3,7 Go/s 4 Go/s 4,2 Go/s 4,3 Go/s 4,4 Go/s 3,2 Go/s 4,3 Go/s 5,3 Go/s 5,4 Go/s 6,4 Go/s Remarque : Le terme PC indique le débit pour les mémoires DDR et non plus la fréquence comme il était le cas pour les SDRAM. 4- H- Les mémoires VRAM, WRAM, SGRAM La VRAM (Video RAM) est de la DRAM réservé à l’affichage que l'on rencontre généralement sur les cartes graphiques. Il est possible d’ecrire et de lire simultanément dans de la VRAM ce qui améliore les performances (on écrit dans la mémoire VRAM, les données à afficher venant du contrôleur graphique, et on y lit les données à afficher au moniteur). WRAM et SGRAM sont deux autres types de mémoire utilisées pour l'affichage. La mémoire GDDR (Graphics DDR) est actuellement destinée aux cartes graphiques. 4- I- Les timmings Contrairement à une fréquence DDR plus élevée que celle du FSB qui n'augmente guère voir bride les performances, les réglages des timings mémoires quant à eux apportent de réels gains. Les gains en test applicatifs peuvent aller jusqu'à 10 %. Plus les valeurs des indices de latence sont basses, meilleures seront les performances, mais plus grand sera le risque d'instabilité. Pour allier performances et stabilité, il faut se munir de barrettes haut de gamme d'une grande marque (Corsair, Mushkin, OCZ...). Elles sont souvent spécifiées «Low Latency» ou «CAS 2». L'accès à un bit de mémoire se fait suivant plusieurs étapes, chacune de ces étapes nécessitant un temps. Il y a plusieurs étapes et donc plusieurs temps. Ces temps sont appelés timings. Nous allons maintenant détailler chacun de ces timings : Le premier d’entre eux est le temps T utilisé pour un cycle ou CLK (Clock). Il est égal à 1 / Fréquence du bus mémoire soit 10 nanosecondes pour un bus de 100 Mhz. • CAS delay ou CAS latency (noté tCAC, CAS signifiant Column Address Strobe) : il s'agit du nombre de cycles d'horloge indiquant le temps mis entre la réception du signal CAS (indiquant que la mémoire est prête à recevoir du contrôleur, le numéro de colonne correspondant à l’information recherchée) et le moment où cette information est transmise au processeur (fin du signal CAS). Ainsi une mémoire avec un CAS de 3 mettra 3T (soit 30 ns si T est égal à 10 ns) pour lire la donnée. M. Guillien Page 7 sur 15 AMSI • Le RAS precharge Time : (noté tRP, RAS signifiant Row Address Strobe) : il s'agit du nombre de cycles d'horloge entre deux instructions RAS, c'est-à-dire entre deux accès à une ligne • RAS to CAS delay (noté parfois tRCD) : il s'agit du nombre de cycles d'horloge correspondant au temps d'accès d'une ligne à une colonne • RAS active time (noté parfois tRAS) : il s'agit du nombre de cycles d'horloge correspondant au temps d'accés à une ligne Lorsqu'on parle de timings mémoire on utilise souvent une notation du type 5-5-5-15 pour définir le paramétrage des mémoires vives. Normalement grâce au «SPD», le BIOS reconnaît la mémoire et affecte automatiquement les paramètres optimums. Ce système lit les informations propres à la DDR dans une petite mémoire morte (EEPROM) présente sur la barrette. M. Guillien Page 8 sur 15 AMSI On peut généralement désactiver le «SPD» pour affecter soi-même les timings. Selon les différents BIOS, les marges de manœuvres seront différentes. Il arrive qu'il faille augmenter la tension d'alimentation de la DDR, de 0,10 à 0,30 Volt au maximum, pour gagner en stabilité si on veut affecter des timings agressifs mais attention à la surchauffe. 4- J- Dual Channel Certains contrôleurs mémoire proposent un double canal (en anglais Dual Channel) pour la mémoire. Il s'agit d'exploiter les modules de mémoire par paire afin de cumuler la bande passante et ainsi exploiter au maximum les capacités du système. Remarque : Il est essentiel d’utiliser des barrettes identiques par paire (fréquence, capacité et préférentiellement de même marque). 5] La correction d’erreurs Certaines mémoires possèdent des mécanismes permettant de pallier les erreurs afin de garantir l'intégrité des données qu'elles contiennent. Ce type de mémoire est généralement utilisé sur des systèmes travaillant sur des données critiques, c'est la raison pour laquelle on trouve ce type de mémoire dans les serveurs. La mémoire ECC (Error Correction Code ou Error Checking and Correction) intègre des techniques exploitant des bits additionnels, destinés à gérer les codes de corrections d’erreurs : a) La première méthode (historique) de correction d'erreur mémoire est le contrôle de parité simple. Cette méthode est également utilisée dans les liaisons séries. Un neuvième bit mémoire est donc ajouté pour ce contrôle. Dans le cas des PC compatibles, une erreur de parité est associée à une interruptions non masquables. Cette interruption provoque l'arrêt de la machine. b) La mémoire ECC DED-SEC (Double Error Detection-Single Error Correction) permet de corriger une erreur en utilisant le principe de la double parité. c) La mémoire Chipkill ECC ou RAID-M (Redundant Array of Inexpensive Dram Memory) a été conçue pour dépasser les limites des deux premières techniques. Elle est ainsi capable de reconstituer le contenu d’un mot mémoire. Un circuit intégré associé au module mémoire effectue un contrôle de parité systématique des mots mémoire (contrôle ECC traditionnel). Il en stocke les résultats dans mémoire réservée, selon les principes du RAID 5. A chaque opération, le contrôleur mémoire vérifie que les valeurs issues des calculs de parité sont conformes. En cas de différence, il détermine le mot incriminé grâce à la méthode ECC classique et est capable de reconstituer ce mot en fonction des données stockés avant l’incident. M. Guillien Page 9 sur 15 AMSI Ces types de mémoire nécessitent un Bios et un chipset adaptés, ce qui les rend plus onéreuses (le double pour de la DDR 2). Elles sont également un peu plus lentes que les équivalentes non-ECC. Elles sont donc principalement utilisées pour les seveurs. 6] Les mémoires mortes La mémoire morte ou ROM (Read Only Memory) est peu volumineuse (quelques dizaines de Ko). C’est une mémoire permanente qui conserve les informations même lorsque le micro-ordinateur est hors tension. Il existe plusieurs type de ROM : 5- A- La mémoire ROM L'information stockée dans ce type de mémoire est enregistrée de façon définitive lors de sa fabrication, même lorsque l’ordinateur est éteint. Ces mémoires ont également suivi une évolution technologique qui amène à distinguer plusieurs types. 5- B- la mémoire PROM La mémoire PROM (Programmable ROM) est une ROM dont dont l’écriture ne sera plus réalisée lors de sa fabrication mais ultérieurement par l'utilisateur au moyen d'une machine appelée programmeur de PROM. Une PROM n'est programmable qu’une seule fois car son principe de programmation utilise les fusibles (diodes) implantés dans la mémoire. 5- C- La mémoire EPROM ou REPROM La mémoire EPROM (Erasable PROM), aussi appelée REPROM (Reprogrammable PROM), peut être effacée une fois écrite. Cette opération s'effectue au moyen d'un effaceur d'EPROM qui n'est rien d’autre qu'un tube à rayons ultraviolets. C'est pourquoi les EPROM comportent sur leur face supérieure une petite fenêtre de quartz, souvent obturée par un adhésif, de manière à ne pas être exposée aux ultraviolets naturels (soleil, néon …). Ces mémoires sont couramment employées pour la mise au point des PROM. 5- D- La mémoire EEPROM Pour être effacées, les EPROM nécessitent une source d'ultraviolets et doivent obligatoirement être ôtées de leur support, ce qui représente une opération délicate. Au contraire, les EEPROM (Electrically EPROM) sont effaçables électriquement octet par octet. Elles sont donc non volatiles et facilement réutilisables. Mais leur faible capacité (2 Mo maxi.) et leur prix de revient en limitent l'utilisation. Elle était surtout utilisée pour le stockage du BIOS. 6- La mémoire Flash L’usage de la mémoire Flash s’accroît rapidement (appareils photo numériques (memory stick, PC Card), ordinateurs de poche, PDA (Portable Digital Assitant), lecteurs de musique numériques, téléphones cellulaires, clef USB …). Cette mémoire est un composant « carrefour » des technologies EEPROM, DRAM, et SRAM, qui présente des caractéristiques de non volatilité et de rapidité. Conçue comme de M. Guillien Page 10 sur 15 AMSI la DRAM, elle ne nécessite pas de rafraîchissement comme la SRAM, et comme l’EEPROM on peut supprimer la source d’alimentation sans que l’information ne soit perdue. C’est une mémoire effaçable et programmable électriquement par blocs, qui peut se reprogrammer en un temps relativement bref d’où son appellation. Remarques : On utilise parfois l´acronyme ROM, comme terme générique pour désigner les mémoires mortes. La raison est historique, puisque les ROM ont été les premières mémoires mortes. Les informations du BIOS (programmes et données) sont contenues dans 2 types de mémoires. - le programme servant à l´initialisation de l´ordinateur est contenu dans une mémoire de type flash les paramètres du BIOS, ainsi que les paramètres plug&play (PNP) sont, quant à eux, contenus dans une RAM dont l´alimentation en courant est assurée par une petite pile. On parle dans ce cas de NVRAM (RAM non volatile de type CMOS : Complementary Metal Oxyde Semy Conductor). Toute carte mère dispose d´un moyen d´effacer le contenu de ces mémoires : cela peut être un switch ou un cavalier sur la carte mère ou encore une option dans le BIOS. Le plus simple est encore de retirer la pile pendant quelques secondes. 7] Le conditionnement de la Ram Les mémoires de type DRAM qui équipaient les premiers modèles de PC AT (286 et quelques 386) se présentaient sous la forme de puces directement implantées sur la carte mère (voir schéma ci-contre). Boîtier SIP (Single Inline Package) et DIP (Dual Inline Package) A l'heure actuelle, ces formats ont été quasiment abandonnés. La grande forme de présentation de la RAM depuis la fin des années 1980 est la barette, qui est une mini-carte d'extension sur laquelle sont fixées des puces de mémoire. Il existe 2 grands formats de présentation des barrettes de RAM, indépendants du type de mémoire supporté : M. Guillien Page 11 sur 15 AMSI • SIMM (Single Inline Memory Module) Les barrettes SIMM se présentent sous la forme de petits circuits imprimés rectangulaires, disposant sur une de leurs faces de 30, 64 ou 72 broches de connexion, assurant l'interface entre le reste de l'ordinateur et sa mémoire. Elle doivent en général se monter deux par deux pour former ainsi des « bancs » ou « banques » de mémoire (memory bank) Les SIMM 30 broches ont surtout servi à équiper les PC Barrettes SIMM 30 broches (en haut) et SIMM 72 broches (en bas) 386 et les premiers 486. Les SIMM 72 broches ont largement servi à équiper les 486 et les PC de type Pentium et compatibles, jusqu'à l'avènement de la RAM sous forme DIMM. Les barrettes SIMM 30 broches, capables de gérer des flux de données de 8 bits, suffisaient à assurer les échanges entre la mémoire et les processeurs anciens comme les 286 et les premiers 386. Dès que sont apparus des processeurs capables de gérer des flux de 32 bits (386DX, 486), les SIMM 72 broches travaillant également sur 32 bits se sont imposées d'office. Par la suite sont survenus les microprocesseurs fonctionnant sur un bus mémoire d'une largeur de 64 bits (Intel Pentium et compatibles), ce qui explique que les barrettes SIMM 72 broches doivent toujours être employées par paires en corrélation avec de tels processeurs (lorsqu'un flux de 64 bits est expédié depuis le processeur vers la RAM, il est indispensable que celleci soit à même de réceptionner l'intégralité des données. Chaque barrette SIMM 72 broches travaillant sur 32 bits, il en faut donc un multiple de 2 en place). Les barrettes SIMM s'enfichent sur des connecteurs (ou slots) particuliers, facilement repérables sur les cartes qui autorisent l'emploi d'un tel format de mémoire. • DIMM (Dual Inline Memory Module) Les barrettes DIMM ressemblent aux SIMM, mais elles affichent des dimensions plus importantes. Barette DIMM 168 broches Petit détail morphologique, elles sont pourvues d'un deuxième cran (en plus de celui placé au centre de chaque barrette) situé au 5/6 de leur longueur, qui joue le rôle de détrompeur lors de l'installation dans les slots DIMM. Elles sont utilisées pour la SDRAM. M. Guillien Page 12 sur 15 AMSI Barette DIMM 184 broches On remarque ici un seul cran. Elles sont utilisées pour la DDR Barette DIMM 240 broches On remarque ici un seul cran. Elles sont utilisées pour la DDR2 Les barrettes au format DIMM sont capables de gérer des flux de données de 64 bits en provenance du microprocesseur central. Ceci correspond justement à la largeur du bus de données externe couramment utilisé depuis l'apparition des processeurs de cinquième et de sixième génération. Connecteurs pour barrettes de RAM au format DIMM M. Guillien Les barrettes DIMM se placent sur des connecteurs totalement différents des connecteurs SIMM, reconnaissables à leur couleur noire pour la SDRAM, bleue ou vert pour la DDR et jaune pour la DDR2, et aux ergots de fixation situés à leurs extrémités. Page 13 sur 15 AMSI • Il existe également des modules de plus petite taille, appelés SO DIMM (Small Outline DIMM), destinés aux ordinateurs portables. - La So-Dimm 144 contact est équivalent à la mémoire SDRam - La So-Dimm 200 contacts est équivalent à la mémoire DDR. • RIMM (Rambus InLine Memory Module) Ce sont des barrettes mémoires constituées de composants 16 bits avec un connecteur de 184 broches. On a donc une largeur de bus de 16 bits ( Oui j'ai bien dit 16 bits ). Ce type de mémoire a fait son apparition début 1999 et aurait dut se généraliser en 2002 malheureusement son prix reste trop excessif par rapport à la DDR Ram. Comme dans le cas des DIMM, il existe des modules de plus petite taille, appelés SO RIMM (Small Outline RIMM), destinés aux ordinateurs portables. Les barrettes SO RIMM comportent uniquement 160 broches. • Le format FB-DIMM (Fully Buffered DIMM), destiné essentiellement aux serveurs, offre un bus bidirectionnel série, à l’instar du PCI-Express. Cette technologie semble abandonner par Intel au profit du format rDIMM. Un seul contrôleur peut supporter jusqu’à 192 Go de mémoire en théorie. Il est possible d’utiliser de la DDR ou DDR2 ou DDR3 de type ECC notamment. • Le format rDIMM : la taille des barrettes mémoire devrait atteindre 32 Go. Il est possible d’utiliser de la DDR ou DDR2 ou DDR3 de type ECC notamment. 8] Quantité de mémoire vive • Sous Linux La commande free et le fichier /proc/meminfo recèlent pleins d’informations sur la mémoire. M. Guillien Page 14 sur 15 AMSI • Sous Windows Vous devez accéder au menu : Démarrer -> Programmes -> Accessoires -< Outils système -> Informations système Pour de plus amples détails sur ces différentes mémoires et leur utilité, consultez le document HTML situé sur mon site à côté de ce cours. M. Guillien Page 15 sur 15