ASTRA free-to-air channels reception possible in France on 19.2E

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA
ENGENHARIA ELÉTRICA
ROTEIROS PARA O LABORATÓRIO e
LISTAS DE EXERCÍCIOS
Disciplina: ENG1550 – Eletrônica Geral
1
Experiência 1
Circuitos divisores de tensão e corrente
Objetivo
Rever os conceitos de ligações série e paralelo de resistores, realizando medidas com voltímetro e
amperímetro.
Material Utilizado
01 Fonte DC ajustável
01 Matriz de contatos
01 Multímetro
Resistores de 100Ω, 220Ω, 330Ω, 560Ω e 1kΩ.
Procedimento Prático
1 – Meça utilizando um multímetro os valores dos resistores
2 – Monte o circuito da figura 1, com os seguintes valores: V = 12 V, R1 = 220 Ω, R2 = 330 Ω, R3 = 560
Ω, R4 = 1 KΩ e R5 = 100 Ω.
Figura 1
3 – Utilizando um multímetro meça os valores de tensão e corrente nos resistores e preencha a tabela a
seguir.
R1
R2
R3
R4
R5
Corrente (mA)
Tensão (V)
Questões
1.
Faça os cálculos teóricos de tensão e corrente nos resistores e compare com os valores medidos,
comentando sobre as possíveis divergências;
2.
Adicione ao circuito uma fonte de tensão de 10 V, em série com o resistor de 100Ω, com o
mesmo referencial da fonte de 12 V e determine, usando o teorema de superposição o valor da
corrente que passa pelo resistor de 1 kΩ;
2
Experiência 2
O Diodo Semicondutor
Objetivo
Levantar a curva característica do diodo semicondutor;
Determinar o ponto de trabalho do diodo utilizando a reta de carga.
Material Utilizado
01 Fonte DC ajustável
01 Matriz de contatos
01 Multímetro
01 Resistor: 470Ω /1W
01 Diodo 1N4007
Procedimento Prático
1 – Utilizando um ohmímetro, identifique os terminais do diodo.
2 – Monte o circuito da figura 1.
Figura 1
3 – Ajuste a tensão na fonte para se obter os valores de tensão descritos no quadro da figura 2. Meça e
anote a corrente no circuito.
VD(V) 0,1 0,3 0,4 0,5 0,53 0,56 0,58 0,6 0,62 0,64 0,68 0,7 0,72 0,8
ID(mA)
0,85
Figura 2
4 – Inverta a polaridade do diodo e preencha o quadro da figura 4.
VD(V)
ID(mA)
5
10
15
20
25
30
Figura 4
Questões
1 – Com os dados obtidos no quadro da figura 2, construa a curva característica do diodo (V D x I).
2 – Sobreponha ao gráfico (V x I) a reta de carga para o circuito indicado na figura 1, com a tensão da
fonte em 5V. Determine o ponto de trabalho do diodo nestas condições.
3
Experiência 3
Regulador de Tensão com Diodo Zener
Objetivo
Analisar o comportamento funcional do diodo Zener.
Material Utilizado
01 Diodo Zener: 5,6 V
01 Fonte de tensão variável (0 - 30V)
02 Multímetros
Resistores: 220Ω (1/8 W), 1kΩ (1W)
01 Matriz de contatos
Procedimento Prático
1 - Monte o circuito indicado na figura 1, com os seguintes valores: RS = 220 Ω e RL = 1 KΩ.
Figura 1
2 - Varie a tensão da fonte (VS) e preencha o quadro 1.
VS(V)
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VRL
IZ
Quadro 1
3 - Inverta o sentido da fonte VS, aplicando 5 V e meça o valor da tensão sobre a carga:
VRL =
Questões
1 – Com base na tabela do quadro (1) e no resultado do item 3, descreva o comportamento do zener em
função da tensão aplicada;
2 – Para uma tensão de 15 V, qual o valor do resistor R, que garante a atuação do Zener como regulador
de tensão no circuito da figura (1)?
Experiência 4
4
Circuito com Zener e diodos comuns
Objetivo
Analisar o comportamento de um circuito, com diodos comuns, a partir de uma regulação de tensão
obtida pela utilização de um diodo Zener.
Material Utilizado
01 Matriz de contatos
03 Diodos 1N4007
01 Diodo Zener de 5,6 V
01 Fonte de tensão variável de 0 a 30V
02 Multímetros
05 Resistores de 1KΩ
Procedimento Prático
1 - Monte o circuito da figura 1, com VZ = 5,6 V, R1 = R2 = R3 = R4 = R5 = 1K Ω:
Figura 1
2 – Varie a tensão de entrada V E e meça o valor da corrente em R2, R3 e no Zener:
VE (V)
5
8
10
16
20
I (R2) (mA)
I (R3) (mA)
IZ (mA)
3 – Para um valor de VE = 25 V meça os valores das tensões sobre os diodos:
VD1 =
VD2 =
VD3 =
4 – Aplique uma tensão VE = -15 V e meça os valores de corrente no diodo Zener e no resistor R4.
I (Zener) =
I (R4) =
Questões
1 – Com base na tabela obtida no item 2 do procedimento, descreva o comportamento do diodo Zener em
relação aos valores de tensão V E aplicados.
2 – Faça os cálculos teóricos do procedimento 2, considerando a 2 a aproximação para os diodos, e
compare com os valores medidos.
5
3 – Faça os cálculos teóricos do item 3, considerando a 2a aproximação para os diodos, e compare com os
valores medidos.
4 – Para o circuito montado, com VZ = 12 V, R1 = 200 Ω, R2 = 500 Ω, R3 = 300 Ω e R4 = 100 Ω e R5 =
400 Ω, considerando os diodos ideais, calcule o menor valor de V E, para que o zener esteja atuando como
regulador de tensão e para uma tensão VE = 25 V determine os valores das correntes em todos os
resistores do circuito.
Experiência 5
Circuitos Retificadores
Objetivo
Verificar o efeito retificador de circuitos implementados com diodos;
Verificar as formas de onda de sinais de tensão em retificadores de meia onda;
Verificar as formas de onda de sinais de tensão em retificadores de onda completa.
Material Utilizado
01 Transformador 220/(12 + 12)V
02 Diodos 1N4007
01 Resistor 470Ω - 5 W
01 Osciloscópio
02 Multímetros
01 Matriz de contatos
Procedimento Prático
1 – Monte o circuito indicado na figura 1.
Figura 1
2 - Desenhe as formas de onda na saída do transformador e na carga R L.
6
3 – Meça os valores (DC) da tensão e corrente na carga R L:
VL =
IL =
4 – Monte o circuito, conforme indicado na figura 2.
Figura 2
5 - Desenhe as formas de onda na saída do transformador (12 V) e na carga R L.
6 – Meça os valores (DC) da tensão e corrente na carga R L:
VL =
IL =
Questões
1 – Calcule a tensão e corrente média na carga para o circuito do item 1 do procedimento experimental, e
compare com os valores medidos, no item 3;
2 – Calcule a tensão e corrente média na carga, para o circuito do item 4 do procedimento experimental, e
compare com os valores medidos, no item 6
4 – Qual a freqüência de saída dos pulsos no retificador de meia onda? E onda completa?
5 – Qual a vantagem do retificador de onda completa em relação ao retificador de meia onda?
7
Experiência 6
O Filtro capacitivo
Objetivo
Verificar o comportamento dos retificadores com filtros capacitivos
Material Utilizado
01 Matriz de contatos
01 Transformador 220/(12 + 12)V
04 Diodos 1N4007
01 capacitor de 470 µF/25V eletrolítico
01 capacitor de 1000µF/25V eletrolítico
01 Resistor 470Ω
01 Osciloscópio
01 Multímetro
Procedimento Prático
1 – Monte o circuito conforme a figura 1:
Figura 1
2 – Preencha a tabela abaixo, medindo os valores de tensão e corrente, indicados.
VRL(AV)
[V]
IRL(AV)
[mA]
VRL max
[V]
VRL min
[V]
∆VRL
[V]
3 – Faça a ligação de um capacitor eletrolítico de 470 µF, em paralelo com RL.(Observe a polaridade!).
4 – Preencha a tabela abaixo, medindo os valores de tensão e corrente, indicados.
VRL(AV)
[V]
IRL(AV)
[mA]
VRL max
[V]
+
VRL min
[V]
∆VRL
[V]
VRL min
[V]
∆VRL
[V]
5 . Substitua o capacitor por um de 1000µF e preencha a tabela a seguir:
VRL(AV)
[V]
IRL(AV)
[mA]
VRL max
[V]
8
Questões
1 – Para o circuito do item 1 do procedimento experimental, calcule os valores de V L(AV), IL(AV) e
compare com os valores medidos.
2 – Para o circuito do item 3 e 5 do procedimento experimental, calcule os valores de V L(AV), IL(AV) e
∆VL e compare com os valores medidos.
3 – Para o circuito do item 3 do procedimento experimental, determine o valor da capacitância do filtro de
modo que a tensão de saída tenha uma oscilação de 1,5 V.
Experiência 7
Polarização do Transistor
Objetivo
Verificar, experimentalmente, os tipos de circuitos de polarização de um transistor na configuração
emissor comum.
Material Utilizado
01 Fonte de alimentação ajustável;
02 Multímetros digitais;
Resistores: 100Ω, 330Ω, 1,2kΩ, 5,6kΩ, 150kΩ;
01 Transistor: BC548;
01 Matriz de contatos.
Procedimento Prático
1 – Meça com o Ohmímetro o ganho de corrente β( HFE) do transistor BC548.
HFE = _____________
2 – Monte o circuito conforme indicado na figura 1.
330Ω
150kΩ
12V
Figura 1
3 – Meça e anote os valores indicados no quadro 1.
IB
IC
IE
VBE
9
VCE
Quadro1
4 – Monte o circuito conforme indicado na figura 2.
330Ω
150kΩ
12V
BC 548
100Ω
Figura 2
5 – Meça e anote os valores indicados no quadro 2.
IB
IC
IE
VBE
VCE
Quadro 2
6 – Monte o circuito conforme indicado na figura 3.
330Ω
5,6kΩ
12V
BC
548
1,2kΩ
100Ω
Figura 3
7 – Meça e anote os valores indicados no quadro 3.
IB
IC
IE
VBE
Quadro 3
Questões
10
VCE
1 – Calcule o valor de β, utilizando os valores de IB e IC, obtidos nos quadros 1, 2 e 3. Compare com o
valor medido no item 1.
2 – Determine os valores de IB, IC, IE, VCE, para os circuitos da figura 1, 2 e 3 e compare com os valores
medidos, nos itens 3, 5 e 7 do procedimento experimental.
3 – Dimensione RB, RC e RE para polarizar o transistor do circuito da figura 2, conforme os dados
fornecidos:
Dados do transistor: β = 200; VBE = 0,7V.
Dados do projeto: VCC = 15V; VCE = VCC/2; VRE = VCC/10; IC = 30mA.
Experiência 8
O Transistor atuando como chave
Objetivo
Verificar, experimentalmente, a atuação do transistor como chave, em circuitos de inversão e adequação
de sinais.
Material Utilizado
01 Fonte de alimentação ajustável (0 –30 V);
02 Multímetros digitais;
03 Resistores de: 1KΩ, 10KΩ e 5.6kΩ (1/8 W) ;
02 Transistor BC548;
01 Matriz de contatos;
01 Diodo 1N4007
01 Osciloscópio;
01 Gerador de áudio.
Procedimento Prático
1 – Meça o valor de ganho do Transistor
HFE T1=
HFE T2=
2 – Monte o circuito conforme indicado na figura 1.
Figura 1
3 – Ajuste o gerador de função em 60 Hz (sinal quadrado)e varie a amplitude a partir de zero, observando
através do osciloscópio, para que valor de tensão de entrada, ocorre a saturação do transistor T1.
VB
4 – Ajuste o gerador de função em 60 Hz, 8 V pp. Verifique com o osciloscópio e faça os esboços das
formas de onda nos coletores dos transistor T1 e T2.
11
5 – Através de amperímetros meça os valores de corrente em T1 e T2:
IBT1
IBT2
IRL
Questões
1 – Determine o valor teórico de V B para que ocorra a saturação do transistor T1 no circuito da figura 1 e
compare com o valor medido;
2 – Para uma tensão V B quadrada, 60 Hz, 6 V pp e uma tensão de alimentação V CC de 10 V, quais os
valores de RB e RC para que o circuito da figura 1, esteja atuando como um circuito inversor?
Experiência 8
12
O TJB atuando como fonte de corrente
Objetivo
Verificar, experimentalmente, a atuação do transistor como fonte de corrente, através da variação da
resistência de saída, mantendo-se constante o sinal de entrada.
Material Utilizado
01 Fonte de alimentação ajustável (0 –30 V);
02 Multímetros digitais;
03 Resistores de: 1KΩ, 10KΩ e 5.6kΩ;
02 Transistor BC548;
01 Matriz de contatos;
01 Diodo 1N4007
Procedimento Prático
1 – Meça o valor de ganho do Transistor
HFE T=
2 – Monte o circuito da figura 1
Figura 1
7 – Para os valores de RC indicados na tabela a seguir meça os valores das correntes e tensões:
IE
RC = 1K
IC
VCE
IE
RC = 5.6 K
IC
VCE
IE
RC = 10 K
IC
VCE
Questões
1 – Faça os cálculos teóricos das medidas realizadas para o circuito da figura 1 e comente os resultados
em relação a atuação do transistor;
2 – Utilizando duas fontes independentes para a polarização do circuito da figura 1, para V BB = 10 V,
quais os valores de VCE e IC para RC = 1 K Ω e VCC = 10, 15 e 20 V.
Experiência 9
13
O TJB como amplificador de pequenos sinais
Objetivo
Verificar, experimentalmente, a atuação do transistor em circuitos para amplificação de pequenos sinais
senoidais.
Material Utilizado
01 Matriz de contatos
01 Fonte de alimentação ajustável (0 –30 V);
02 Multímetros digitais;
Resistores: 330 Ω, 5.6 KΩ, 1.2 KΩ;
02 Resistores de 65 Ω;
02 Transistor: BC548;
01 Matriz de contatos;
02 capacitores eletrolíticos de 1 µF;
01 Capacitor eletrolítico de 100 µF
01 Osciloscópio;
01 Gerador de áudio.
Procedimento Prático
HFE = β =
1 - Meça o valor de ganho do Transistor
2 - Monte o circuito conforme indicado na figura 1, com C1= C2 = 1 µF, Ce = 100 µF, R1 = 5.6 kΩ,
R2 = 1.2 kΩ, Re1 = Re2 = 62 Ω, RC = 330 Ω e VCC = 12 V.
Figura 1
3 - Com o gerador de função desligado, realize as medidas indicadas na tabela a seguir:
IC (mA)
IE (mA)
VB (V)
VE (V)
VC (V)
4 - Ajuste o gerador de sinais em 10 kHz e varie a amplitude conforme a tabela a seguir, visualizando as
formas der ondas de entrada (gerador de função) e saída (Vo), preenchendo os valores da saída na tabela a
seguir.
Amplitude de Vi (mV)
(osciloscópio)
100
Amplitude de Vo (V)
(osciloscópio)
14
200
400
600
Questões
1 - Faça os cálculos teóricos para o circuito da figura 1 e compare com os valores medidos;
2 – No circuito da figura 1, determine os valores dos ganhos de corrente (Ai) e tensão (A V), com a
colocação de um capacitor de 10 µF em paralelo com RE;
3 – Faça os cálculos teóricos para o circuito da figura 2 e compare com os valores medidos;
4 – No circuito da figura 2, determine os valores dos ganhos de corrente (Ai) e tensão (A V), retirando-se o
capacitor Ce do circuito.
Bibliografia
-
Anotações feitas em sala de aula durante exposição teórica;
-
BOYLESTAD, R. L & NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, Editora
Prentice-Hall do Brasil, 6a Edição, 1996;
Experiência 11
15
O Transistor de Efeito de Campo (JFET)
Objetivo
Obter, experimentalmente, as curvas característica e de transferência de um Transistor de efeito de campo
canal n.
Material Utilizado
02 Fonte de alimentação ajustáveis (0 –30 V);
02 Multímetros digitais;
01 Resistor de 100Ω;
01 Transistor: BF245A;
01 Matriz de contatos;
Procedimento Prático
1 - Monte o circuito conforme indicado na figura 1.
Figura 1
2 – Ajuste, através da Fonte V DD, o valor da tensão V DS em 10 V e preencha a tabela 1, variando V GS por
meio da Fonte VGG.
VGS (V)
-1,2
-1
-0,8
-0,4
ID (mA)
Tabela 1
3 – Para um VDS = 10 V, varie a Fonte VGG, até que ID seja nulo e meça o valor de V GS.
VGS (para ID = 0) =
16
0
4 - Meça os valores de ID, variando os valores de VDS e VGS, através das Fontes VGG e VDD, conforme a
tabela 2.
VDS (V)
VGS (V)
0,5
1,0
1,5
2,0
4,0
8,0
- 1,2
-1
-0,8
-0,4
0
Tabela 2 – Valores das correntes ID, com as variações de VDS e VGS
Questões
1 – Com base nos dados da Tabela 2, desenhe as curvas características de operação do JFET 245A;
2 – Com base cos dados da Tabela 1, desenhe a curva de transferência do JFET 245A;
3 – Determine os valores de IDSS e VP do JFET 245A.
Bibliografia
-
Anotações feitas em sala de aula durante exposição teórica;
-
BOYLESTAD, R. L & NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, Editora
Prentice-Hall do Brasil, 6a Edição, 1996;
17
ANEXO
Estrutura do Relatório:
Capa:
Contendo a identificação do Local (UCG), da disciplina (Eletrônica Geral), título da experiência, autor e
data da realização.
1 – Introdução
1.1 – Objetivos da experiência;
1.2 – Resumo teórico
2 – Desenvolvimento
2.1 – Material utilizado;
2.2 – Procedimento;
2.3 – Resultados e análises
3 – Conclusão
18
1a LISTA DE EXERCÍCIOS
Referência: Tópicos 1, 2.1, 2.2 e 2.3
1) Explique como são obtidos os semicondutores extrínsecos tipo N e tipo P.
2) Para o circuito abaixo, verificou-se que para uma tensão, sobre o diodo de 1,2 V uma corrente de
aproximadamente 30 mA.
a) Considerando o diodo ideal, para um valor de R de 500 Ω, quais são os valores de corrente e potência
estabelecidos no resistor R? (24 mA e 28 mW)
b) Repita o item a) para a 2a e 3a aproximação; ( 22.6 mA e 255 mW; 20 mA e 200 mW)
c) Se a fonte tivesse seus terminais invertidos, qual o valor da corrente? Por que? (Id = 0)
3) Utilizando a 2a aproximação, para o circuito a seguir, com R1 = 500 Ω, R2 = 400 Ω e R3 = 300 Ω
determine:
a) A corrente e a potência nos resistores R1, R2 e R3;(10.3 mA e 53.4 mW; 10.3 mA e 40 mW)
b) O valor das tensões nos diodos D1 e D2. (- 4.85 V; 0.7 V)
c) Repita as letras a) e b) para uma fonte de 12 V no sentido contrário.
( a) 14 mA e 100 mW; 0 e 0; 14 mA e 59 mW; b) 0.7 V e – 4.94 V)
4) Considerando os diodos ideais, R1 =500 Ω e R2 = 200 Ω, para o circuito a seguir:
a) Qual é o valor das correntes nos resistores R1 e R2? (20 mA, 50 mA)
b) Se o sentido da fonte fosse invertido qual o valor da potência dissipada nos resistores?
(0.2 W; 0)
c) Repita os itens a) e b), considerando a 2a aproximação para os diodos.
( a) 17.2 mA e 46,5 mA; b) 148 mW e 0)
11 ) Para o circuito representado a seguir, com VZ = 12 V, RS = 200 Ω e RL = 2 KΩ:
a) Qual é o valor mínimo de VS para que o diodo Zener esteja atuando como regulador de tensão?
(13.2 V)
b) Para uma tensão VS = 40 V, qual o valor da corrente no diodo Zener? (134 mA)
c) Para uma tensão VS = 10 V, qual o valor de corrente na carga RL? (4.54 mA)
19
2a LISTA DE EXERCÍCIOS
Referência: Tópicos 2.4 e 2.5
1) Para um retificador de meia onda, alimentando uma carga R L = 150 Ω, através de um
transformador com 500 espiras no primário e 20 espiras no secundário, para uma tensão no
primário do transformador v(t) = 300 sen 500 t:
a) Desenhe o circuito que representa o sistema;
b) Qual é o valor da tensão média na carga RL? (3.81 V)
c) Faça um esboço das formas de onda de tensão e corrente na carga R L;
d) Qual o valor mínimo de tensão em RL com colocação de um capacitor C = 1000 µF?
(10.66 V)
e) Qual o valor da corrente em RL, com a ligação do capacitor? (44.5 mA)
2) Para um retificador de onda completa, alimentando uma carga R L = 10 Ω, através de um
transformador com uma tensão no primário v(t) = 300 sen 500 t:
a) Desenhe o circuito que representa o sistema;
b) Qual o valor da relação de transformação (N1/N2), para que uma corrente média de
aproximadamente 190 mA seja estabelecida na carga? (50)
c) Faça um esboço das formas de onda de tensão e corrente na carga;
d) Quais as especificações dos diodos? (TPI
6 V e Id
95 mA)
3) Para um retificador em ponte, alimentado por um transformador com relação de transformação
N1/N2 = 10 e tensão no primário de 220 V (60Hz).
a) Qual o valor da carga RL para que uma potência média de 1.566 W seja dissipada? (250 Ω)
b) Qual o valor de oscilação na tensão em R L com a colocação de um capacitor, em paralelo, no
valor de C = 500 µF? (2.1 V)
c) Qual o valor da potência dissipada em RL, após a ligação do capacitor? (3.62 W)
d) Qual é, em graus, o ângulo de condução dos diodos? (21.24o)
4) Para um retificador em ponte alimentando uma carga RL = 200 Ω, através de um transformador
com N1/ N2 = 10, com tensão no primário igual a v(t) = 200 sen (400t):
a) Qual o valor da corrente média na carga? (63.6 mA)
b) Que valor de capacitor deve ser ligado em paralelo a R L, para que a potência média na carga
seja de 1.85 W? (513 µF)
c) Faça um esboço das formas de onda de tensão em RL, sem e com o capacitor.
d) Qual o valor da corrente média na carga se um capacitor de 100 µF fosse, ligado em paralelo ao
primeiro capacitor? (97 mA)
5) Repita o exercício anterior, para um retificador de meia onda.
( a) 31.8 mA; b) 1027 µF; c) 96.5 mA)
3a LISTA DE EXERCÍCIOS
20
Referência: Tópicos 3.1, 3.2 e 3.3
1) Para o circuito abaixo, com: βCC é igual a 300, VBB = 10 V, VCC = 15 V, RB = 500 KΩ e RC = 620 Ω,
determine:
a) o valor da corrente na base; (18 µA)
b) o valor da tensão entre coletor e emissor; (11,54 V)
c) o valor da potência dissipada no transistor. (64 mW)
2) Projete o circuito de polarização para o transistor do exercício anterior, de modo que se tenha
VBB = 5 V, VCC = 10 V, VCE = 7.5 V e IC = 10 mA. (RB = 129 KΩ e RC = 250 Ω)
3) Para o circuito a seguir, sabendo que: VBB= 5 V, VCC= 10V, RE = 15 KΩ e RC = 2K Ω.
a) Desenhe a reta de carga para a operação do transistor; (ICS = 0,59 mA e VCE = 10 V)
b) Qual o ponto de operação para VCC= 15 V? (IC = 0,29 mA e VCE = 5,13 V)
4) Para o circuito apresentado no exercício 1, substitua a fonte V BB por um gerador de sinal que
forneça periodicamente: 0 < t < T/2 ⇒ V = 10V e T/2 < t < T ⇒ V = 0.
a) Se RB = 10 K Ω, qual o menor valor de R C para que o transistor esteja atuando como um
circuito inversor? (53,76 Ω)
b) Se βCC é igual a 80, qual o ponto de operação no período de 0 < t < T/2, para um valor de R C =
100 Ω? (17,4 mA e 7,56 V)
c) Para as condições da letra b), qual o menor valor de V BB, que garante a saturação forte de
transistor? (19,45 V)
5) Para o circuito a seguir, com VCC = 18 V, R1 = 39 KΩ, R2= 8.2 KΩ, Rc = 3.3 KΩ e Re = 1 KΩ,
βCC é igual a 120, determine:
a) A corrente no coletor; (2,43 mA)
b) A tensão VCE; (5,25 V)
c) IB, VE e VB (20 µA, 2,43 V e 3,13 V)
6) Para o circuito a seguir, com VCC = 16 V, RB=470 KΩ, RE= 0.51 KΩ, RC = 3.6 KΩ, βCC é igual a
120, determine:
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a) IB; (15,87 µA)
b) IC; (1,9 mA)
c) VC. (9,14 V)
7) Para o circuito abaixo, considere: βCC = 200, VBB = 10 V, VCC = 10V, RB = 220 KΩ e RC = 620 Ω:
a ) Desenhe a reta de carga para o circuito e determine o
ponto de operação do transistor;
(ICS = 16 mA e VCE = 10 V; IC = 8,45 mA e VCE = 4,76 V)
b) Para um valor de VBB = 5 V, qual é o valor máximo de R B,
para que o transistor esteja operando na região de
saturação? (53,35 KΩ)
c) Projete um circuito para: VCE= 6 V e IC = 8 mA.
(RC = 500 Ω e RB = 232,5 KΩ)
8) Para o circuito a seguir, considere os valores de V CC=10 V, R1 = 18 KΩ, R2= 3 KΩ, RC = 3.3 KΩ e
Re = 1 KΩ, βCC é igual a 150, determine:
a) O valor da tensão no coletor; (7,59 V)
b) O ponto de operação para RC = 1 KΩ.
(IC = 0,73 mA e VCE = 8,54 V)
9) Para o circuito abaixo, com: βCC é igual a 200, VBB = 10 V, VCC = 5 V, RB = 600 KΩ e RC = 520 Ω,
determine:
a) valor da corrente na base; (15,5 µA)
b) desenhe a reta de carga para o transistor; (ICS = 9,6 mA e VCE = 5 V)
c) determine o ponto de operação do transistor; IC = 3,1 mA e VCE = 3,39 V
d) Projete um circuito de polarização para que se tenha V BB = 5 V, RC = 550 Ω , VCE = 3.5 V e IC =
10 mA. (VCC = 9 V e RB = 86 KΩ).
4a LISTA DE EXERCÍCIOS
Referência: Tópico 3.4
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1 - Para o circuito a seguir com: β = 100, r0 = 50 KΩ e Vi = 0.02 sen (377t):
a) Qual o valor eficaz da tensão de saída (Vo)? (3.74 V)
b) Qual é o erro percentual no valor do ganho de corrente se considerar ro = ∞ ? (5.67%)
2 - Para os circuitos a seguir, determine os valores de Zi, Zo, AV e Ai (demonstre!)
Zi = 19.61 Ω
Z0 = 5 KΩ
AV = 250
Ai = - 1
Zi = 59.34 KΩ
Z0 = 2.2 KΩ
AV = - 3.89
Ai = 104.92
Zi = 132.72 KΩ
Z0 = 12.56 Ω
AV = 0.996
Ai = - 39.67
4a LISTA DE EXERCÍCIOS
Referência: Tópico 3
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1 - Faça o esboço da curva de transferência de um JFET de canal P, para:
IDSS = 4 mA e VP = 3 V
2 - Para o circuito apresentado na figura a seguir, determine o ponto de operação e o valor de V DS
para JFET se: IDSS= 12 mA, VP = - 4V, RD = 1.2 KΩ, RG = 1 MΩ, VDD=12 V e VGG = 1.5 V.
(4.69
mA; -1.5 V, 6.37 V)
3 - Faça o esboço da curva característica e da equação do circuito, determinando matematicamente
o ponto de operação do JFET, apresentado a seguir, se I DSS = 8 mA, VP = - 6V, R D = 3.3 KΩ, RG = 1
MΩ e VDD = 20 V:
a) para RS = 100 Ω; (6.4 mA, - 0.64 V)
b) para RS = 10 KΩ. (0.46 mA, - 4.6 V)
4 - Para o circuito a seguir, com IDSS = 10 mA, VP = - 3.5 V, RD = 2.2 KΩ, RS = 0.51 KΩ, R1 = 910 KΩ,
R2 = 110 KΩ e VDD = 20 V, determine o ponto de operação do JFET.(5.8 mA, - 0.58 V)
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