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TP3 Transistor MOSFET – Caractéristiques et circuits de base TP3
TP3 Transistor MOSFET – Caractéristiques et circuits de base Préparation 1) Fiches techniques des transistors MOSFET ZVN3306A et ZVP3306A 2) Déterminer les principaux paramètres (Vt, gm et ro) de chaque transistor 3) Déterminer les résistances R2 et R3 dans le montage suivant pour obtenir un courant ID = 10 mA. Déterminer les tensions VGS et VDS TP3 Transistor MOSFET – Caractéristiques et circuits de base 4) Tracer un modèle petit signal de l’amplificateur montré dans la figure suivante 5) Calculer le gain en tension sans charge Av0, la résistance d'entrée Rin et la résistance de sortie Ro Fiche technique du MOSFET ZVN3306A Fiche technique du MOSFET ZVN3306A Fiche technique du MOSFET ZVN3306A Fiche technique du MOSFET ZVN3306A Fiche technique du MOSFET ZVN3306A Approximation linéaire de l'équation de gm en fonction de vGS Caractéristique de transfert ID-VGS Détermination de R2 et R3 pour avoir ID = 10 mA Tracer la droite de charge (pente = -1/100Ω Ω) dans le plan ID-VGS 33 mA ID = 10 mA VGS = 2.3 V Calcul de R2 et R3 – Calcul de gm à ID =10 mA 3.3 V Circuit équivalent « petit signal » de l'amplificateur à MOSFET Circuit équivalent « petit signal » de l'amplificateur à MOSFET
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